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單項(xiàng)選擇題芯片的金屬引線容易發(fā)生阻值增加、短路或開(kāi)路、腐蝕等缺陷，以下不屬于金屬引線失效機(jī)理的是（）。

A.電化學(xué)反應(yīng)
B.偏壓
C.電遷移
D.氧化

1.單項(xiàng)選擇題隨著電子產(chǎn)品功能增加，性能提高，未來(lái)集成電路芯片封裝尺寸將（）。

A.保持不變
B.難以增大
C.越來(lái)越小
D.越來(lái)越大

2.單項(xiàng)選擇題塑料雙列直插式封裝因工藝簡(jiǎn)單、適合批量生產(chǎn)而應(yīng)用廣泛，其引腳數(shù)一般不超過(guò)（）。

A.一百個(gè)
B.一千個(gè)
C.五百個(gè)
D.八百個(gè)

3.單項(xiàng)選擇題以下無(wú)法用于球柵陣列封裝焊后質(zhì)量檢測(cè)的是（）。

A.X射線檢測(cè)
B.電測(cè)試
C.光學(xué)顯微鏡檢測(cè)
D.邊界掃描檢測(cè)

4.單項(xiàng)選擇題厚膜介質(zhì)材料分為高介電常數(shù)和低介電常數(shù)兩大類(lèi)，為了減小寄生電容，避免信號(hào)傳輸速度降低，應(yīng)采用（）。

A.對(duì)材料類(lèi)型無(wú)要求
B.導(dǎo)體材料
C.高介電常數(shù)材料
D.低介電常數(shù)材料

5.單項(xiàng)選擇題對(duì)材料進(jìn)行熱機(jī)械分析，需要測(cè)量的兩個(gè)重要參數(shù)是熱膨脹系數(shù)和（）。

A.冷卻時(shí)間
B.固化時(shí)間
C.凝膠時(shí)間
D.玻璃化轉(zhuǎn)變溫度

6.單項(xiàng)選擇題芯片的檢測(cè)可能會(huì)導(dǎo)致芯片的損壞，下列哪些檢測(cè)方法不會(huì)導(dǎo)致芯片損壞（）。

A.X射線檢測(cè)
B.選擇性剝層
C.高電壓擊穿
D.熔化塑料

7.單項(xiàng)選擇題以下測(cè)試儀器或設(shè)備，不能用于封裝的電學(xué)特性測(cè)試的為（）。

A.X-ray
B.TEM
C.AFM
D.SAM

8.單項(xiàng)選擇題金屬與玻璃之間的黏著性較差，為了使兩者形成穩(wěn)定的粘接，必須控制玻璃在金屬表面的（）。

A.潤(rùn)濕能力
B.吸收能力
C.摩擦能力
D.流動(dòng)能力

9.單項(xiàng)選擇題在高溫共燒型陶瓷基板的制作中，氧化鋁粉末與鈣鎂鋁硅酸玻璃粉末的比例為（）。

A.1：9
B.3：1
C.1：3
D.9：1

10.單項(xiàng)選擇題任何電子產(chǎn)品都具有生命周期，影響生命周期的外界因素是環(huán)境載荷與（）。

A.抗?jié)褫d荷
B.耐壓載荷
C.耐溫載荷
D.應(yīng)力載荷