多項(xiàng)選擇題引起金線(xiàn)偏移的因素包括（）。

A.氣泡的移動(dòng)
B.過(guò)保壓/遲滯保壓
C.樹(shù)脂流動(dòng)產(chǎn)生的拖曳力
D.引線(xiàn)架變形


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1.多項(xiàng)選擇題常見(jiàn)的CSP分類(lèi)方式是根據(jù)封裝外殼本身的結(jié)構(gòu)來(lái)分的，它分為（）。

A.柔性CSP
B.引線(xiàn)架CSP
C.硅片級(jí)封裝
D.剛性CSP

2.多項(xiàng)選擇題CDIP工藝流程中用到的三種材料為（）。

A.框架
B.引線(xiàn)架
C.底座
D.蓋板

3.多項(xiàng)選擇題塑料鑄膜材料必須添加多種有機(jī)與無(wú)機(jī)材料，其中添加無(wú)機(jī)填充劑的目的是（）。

A.提高熱震波阻抗性
B.提高熱導(dǎo)率
C.鑄膜材料的基底強(qiáng)化
D.降低熱膨脹系數(shù)

4.多項(xiàng)選擇題掃描聲光顯微鏡可用于進(jìn)行無(wú)損探測(cè)，可探測(cè)的缺陷包括（）。

A.芯片與底座之間的界面分層
B.芯片傾斜
C.芯片粘結(jié)分層
D.金線(xiàn)偏移

5.多項(xiàng)選擇題在電子產(chǎn)品鑒定過(guò)程中，與濕度相關(guān)的加速試驗(yàn)包括（）。

A.高加速應(yīng)力試驗(yàn)
B.溫濕度偏置試驗(yàn)
C.溫濕度電壓循環(huán)試驗(yàn)
D.高壓蒸煮試驗(yàn)

6.多項(xiàng)選擇題影響封裝缺陷和失效的主要因素有（）。

A.封裝設(shè)計(jì)
B.環(huán)境條件
C.工藝參數(shù)
D.材料成分和屬性

7.多項(xiàng)選擇題電子元器件的失效率曲線(xiàn)一般有三類(lèi)失效組成，包括（）。

A.隨機(jī)失效
B.特性失效
C.損耗失效
D.早期失效

8.多項(xiàng)選擇題隨著電子產(chǎn)品功能的升級(jí)換代，未來(lái)集成電路芯片封裝的發(fā)展趨勢(shì)表現(xiàn)為（）。

A.引腳數(shù)目越來(lái)越多
B.芯片尺寸不斷減小
C.工作頻率越來(lái)越高
D.發(fā)熱量越來(lái)越大

10.多項(xiàng)選擇題在多層陶瓷DIP制作中，生瓷片的主要成分為（）。

A.溶劑和增塑劑
B.粘合劑
C.陶瓷粉末
D.玻璃粉末