A.5kHz
B.5MHz
C.2.5MHz
D.2.5KMz
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A.縱波折射角
B.橫波折射角
C.縱波入射角
D.橫波反射角
A.重復頻率
B.晶片振動頻率
C.回波頻率
D.電源頻率
A.能更準確地測量缺陷高度
B.能更準確地測量缺陷長度
C.更有利于發(fā)現(xiàn)和判斷上表面附近的缺陷
D.更有利于發(fā)現(xiàn)和判斷底面附近的缺陷
A.二次波檢測可以解決焊縫余高過寬影響探頭設置的困難
B.二次波檢測可以解決直通波盲區(qū)造成的近表面裂紋漏檢
C.二次波檢測以二次反射表面產(chǎn)生的波作為底面波
D.二次波檢測時探頭間距不能太大,以確?;夭ㄔ诘撞úㄐ娃D(zhuǎn)換之前到達
A.采用的TOFD和脈沖反射法組合檢測
B.檢測筒體縱焊縫時從內(nèi)表面掃查
C.檢測筒體環(huán)焊縫時從內(nèi)表面掃查
D.從內(nèi)表面和外表面進行兩次掃查
A.提高缺陷長度測量的精度
B.增大有效檢測范圍
C.消除底面焊縫成形不良的影響
D.有利于發(fā)現(xiàn)焊縫中的橫向缺陷
A.0.85mm
B.0.50mm
C.5.27mm
D.0.23mm
A.在大于50℃時進行TOFD檢測
B.在100℃時進行TOFD檢測
C.在150℃時進行TOFD檢測
D.在200℃時進行TOFD檢測
A.波束擴散越大,近場長度N越小,輻射超聲能量越低
B.波束擴散越大,近場長度N越小,國投超聲能量越高
C.波束擴散越大,近場長度N越大,輻射超聲能量越低
D.波束擴散越小,近場長度N越小,輻射超聲能量越氏
A.近場長度N越大,分辨力越差,上表面盲區(qū)越大
B.近場長度N越小,分辨力越好,上表面盲區(qū)越大
C.近場長度N越小,分辨力越差,上表面盲區(qū)越小
D.近場長度N越小,分辨力越差,上表面盲區(qū)越大
最新試題
底片清晰度與膠片顆粒度的關(guān)系是()
以下哪一種措施不能減小上表面盲區(qū)的影響()
不同材料的相對吸收系數(shù)()
一般認為表面波探測的有效深度約為()
光電效應發(fā)生的機率隨什么變化()
原子是元素的具體存在,是體現(xiàn)元素性質(zhì)的最小微粒。
超聲波斜探頭的K值等于()的正切值。
在筒身外壁做曲面周向探傷時(r、R為簡體的內(nèi)、外徑),斜探頭(β為折射角)的臨界角應滿足()
超聲波探頭上標稱的頻率是()
使用變型波檢測的一個優(yōu)點是()