A.重復(fù)頻率
B.晶片振動(dòng)頻率
C.回波頻率
D.電源頻率
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A.能更準(zhǔn)確地測(cè)量缺陷高度
B.能更準(zhǔn)確地測(cè)量缺陷長(zhǎng)度
C.更有利于發(fā)現(xiàn)和判斷上表面附近的缺陷
D.更有利于發(fā)現(xiàn)和判斷底面附近的缺陷
A.二次波檢測(cè)可以解決焊縫余高過寬影響探頭設(shè)置的困難
B.二次波檢測(cè)可以解決直通波盲區(qū)造成的近表面裂紋漏檢
C.二次波檢測(cè)以二次反射表面產(chǎn)生的波作為底面波
D.二次波檢測(cè)時(shí)探頭間距不能太大,以確保回波在底波波型轉(zhuǎn)換之前到達(dá)
A.采用的TOFD和脈沖反射法組合檢測(cè)
B.檢測(cè)筒體縱焊縫時(shí)從內(nèi)表面掃查
C.檢測(cè)筒體環(huán)焊縫時(shí)從內(nèi)表面掃查
D.從內(nèi)表面和外表面進(jìn)行兩次掃查
A.提高缺陷長(zhǎng)度測(cè)量的精度
B.增大有效檢測(cè)范圍
C.消除底面焊縫成形不良的影響
D.有利于發(fā)現(xiàn)焊縫中的橫向缺陷
A.0.85mm
B.0.50mm
C.5.27mm
D.0.23mm
A.在大于50℃時(shí)進(jìn)行TOFD檢測(cè)
B.在100℃時(shí)進(jìn)行TOFD檢測(cè)
C.在150℃時(shí)進(jìn)行TOFD檢測(cè)
D.在200℃時(shí)進(jìn)行TOFD檢測(cè)
A.波束擴(kuò)散越大,近場(chǎng)長(zhǎng)度N越小,輻射超聲能量越低
B.波束擴(kuò)散越大,近場(chǎng)長(zhǎng)度N越小,國(guó)投超聲能量越高
C.波束擴(kuò)散越大,近場(chǎng)長(zhǎng)度N越大,輻射超聲能量越低
D.波束擴(kuò)散越小,近場(chǎng)長(zhǎng)度N越小,輻射超聲能量越氏
A.近場(chǎng)長(zhǎng)度N越大,分辨力越差,上表面盲區(qū)越大
B.近場(chǎng)長(zhǎng)度N越小,分辨力越好,上表面盲區(qū)越大
C.近場(chǎng)長(zhǎng)度N越小,分辨力越差,上表面盲區(qū)越小
D.近場(chǎng)長(zhǎng)度N越小,分辨力越差,上表面盲區(qū)越大
A.窄波束擴(kuò)展來提高縱向分辨力
B.窄波束擴(kuò)展來確保受檢區(qū)域的履蓋
C.寬波束來提高橫向分辨力
D.寬波束來覆蓋被檢測(cè)的整個(gè)焊縫區(qū)域
A.底面波受干擾
B.單個(gè)衍射信號(hào)在直通波和底面波之間
C.兩個(gè)相反相位的衍射信號(hào)在直通波和底面波之間
D.兩個(gè)相反相位的衍射信號(hào)在直通波和底面波形轉(zhuǎn)換波之間
最新試題
當(dāng)射線穿透任何一物體時(shí),部分被物體吸收,部分則穿透該物體,還有一部分則被構(gòu)成該物的原子內(nèi)電子向各方面散射,此散射為()
發(fā)生康普頓散射的條件是()
某超聲波探頭,壓電晶片的頻率常數(shù)Nt=1500m/s晶片厚度為0.3mm,則該探頭工作頻率為()
底片清晰度與膠片顆粒度的關(guān)系是()
原子是元素的具體存在,是體現(xiàn)元素性質(zhì)的最小微粒。
最容易發(fā)生康普頓效應(yīng)的射線能量為()
對(duì)于平行于檢測(cè)面的缺陷,一般采用()檢測(cè)。
調(diào)節(jié)掃描速度時(shí),應(yīng)使()同時(shí)對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的水平刻度值。
最容易發(fā)生光電效應(yīng)的射線能量為()
物質(zhì)對(duì)輻射的吸收是隨什么而變()