A.HPGe和Ge（Li）用于組成γ譜儀，Ge較高的密度和原子序數(shù)有利于γ射線探測
B.Si（Li）探測器可以作低能量的γ射線和X射線測量
C.Si（Li）探測器可以作β粒子或其他外部入射的電子的探測，因為它原子序數(shù)低，反散射小
D.Si（Li）探測器也適合測量高能γ射線
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A.電流脈沖寬度約為μs量級
B.反符合技術(shù)有助于提高探測器峰康比
C.85立方厘米的高純鍺探測器的相對探測效率約為19%
D.能量線性很好
A.不同原因造成的能量展寬需要平方求和在開方，求總體效應(yīng)
B.載流子統(tǒng)計漲落、漏電流和噪聲均會造成探測器能量分辨率變差
C.不同原因造成的能量展寬可以直接相加求總體效應(yīng)
D.載流子由于陷阱效應(yīng)帶來的漲落可以通過適當提高偏置電壓減小
A.平面型探測器，吸收位置不同但是輸出信號基本相同
B.信號脈沖上升時間與入射帶電粒子產(chǎn)生電子-空穴對的位置有關(guān)
C.同軸型探測器，吸收位置不同但是輸出信號基本相同
D.輸出電壓脈沖信號是前沿不變的
A.平面型體積較大
B.同軸型體積較小
C.兩者都不需要考慮空間電荷問題
D.對不同的結(jié)構(gòu)形式，靈敏體積內(nèi)的電場分布不同
A.它需要在低溫下工作
B.它需要在低溫下保存
C.工作時一般不能達到全耗盡狀態(tài)
D.不屬于PN結(jié)型探測器
A.高純鍺探測器是由Ge單晶制成
B.雜質(zhì)濃度約為105個原子/cm3
C.因為純度高，所以可以有很大的結(jié)區(qū)，即敏感體積
D.耗盡層內(nèi)的電場強度不是一致的
A.鋰漂移探測器不可以用來測量入射粒子的能量
B.Ge（Li）探測器須保存在低溫下
C.Si（Li）探測器可在常溫下保存
D.鋰漂移探測器能量分辨率高于NaI探測器
A.I區(qū)存在空間電荷
B.I區(qū)為耗盡層，但是電阻率低于106Ω
C.I區(qū)為主要的探測器敏感區(qū)域
D.因為空間電荷的存在，平面型結(jié)構(gòu)I區(qū)內(nèi)不是均勻電場
A.Li為施主雜質(zhì)
B.鋰離子是用于漂移成探測器的唯一可用離子
C.基體用N型半導(dǎo)體
A.電流型前置放大器
B.電壓型前置放大器
C.電荷靈敏前置放大器
D.不需要使用前置放大器
最新試題
關(guān)于符合的描述，下列說法正確的是（）。
小立體角法是測量α源活度的手段之一，關(guān)于此方法的描述錯誤的是（）。
下列哪種中子的波長最短？（）
關(guān)于中子的彈性、非彈性散射，下列說法錯誤的是（）。
測量厚樣品α源，下列說法正確的是（）。
下列關(guān)于真符合的描述錯誤的是（）。
下列關(guān)于反符合的描述正確的是（）。
下列關(guān)于同位素源的特點的描述不正確的是（）。
下列對探測器本征探測效率沒有影響的是（）。
下列對于常用的中子探測器的描述不正確的是（）。