A.平面型體積較大
B.同軸型體積較小
C.兩者都不需要考慮空間電荷問(wèn)題
D.對(duì)不同的結(jié)構(gòu)形式,靈敏體積內(nèi)的電場(chǎng)分布不同
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A.它需要在低溫下工作
B.它需要在低溫下保存
C.工作時(shí)一般不能達(dá)到全耗盡狀態(tài)
D.不屬于PN結(jié)型探測(cè)器
A.高純鍺探測(cè)器是由Ge單晶制成
B.雜質(zhì)濃度約為105個(gè)原子/cm3
C.因?yàn)榧兌雀?,所以可以有很大的結(jié)區(qū),即敏感體積
D.耗盡層內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度不是一致的
A.鋰漂移探測(cè)器不可以用來(lái)測(cè)量入射粒子的能量
B.Ge(Li)探測(cè)器須保存在低溫下
C.Si(Li)探測(cè)器可在常溫下保存
D.鋰漂移探測(cè)器能量分辨率高于NaI探測(cè)器
A.I區(qū)存在空間電荷
B.I區(qū)為耗盡層,但是電阻率低于106Ω
C.I區(qū)為主要的探測(cè)器敏感區(qū)域
D.因?yàn)榭臻g電荷的存在,平面型結(jié)構(gòu)I區(qū)內(nèi)不是均勻電場(chǎng)
A.Li為施主雜質(zhì)
B.鋰離子是用于漂移成探測(cè)器的唯一可用離子
C.基體用N型半導(dǎo)體
A.電流型前置放大器
B.電壓型前置放大器
C.電荷靈敏前置放大器
D.不需要使用前置放大器
A.結(jié)區(qū)的電場(chǎng)為均勻電場(chǎng)
B.耗盡區(qū)的寬度與摻雜濃度無(wú)關(guān)
C.結(jié)區(qū)電容與外加電壓無(wú)關(guān)
D.外加電壓增大,耗盡層的寬度增加
A.平均電離能比閃爍體探測(cè)器低
B.載流子數(shù)目服從泊松分布
C.電子遷移率與空穴遷移率相近
D.摻雜會(huì)大大降低半導(dǎo)體的電阻率
A.高的電阻率,短的載流子壽命
B.高的電阻率,長(zhǎng)的載流子壽命
C.低的電阻率,長(zhǎng)的載流子壽命
D.低的電阻率,短的載流子壽命
A.Li
B.B
C.P
D.Al
最新試題
幾何因素對(duì)探測(cè)器測(cè)量活度的影響描述正確的是()。
下列關(guān)于反符合的描述正確的是()。
關(guān)于24Na-9Be中子源的描述不正確的是()。
下列關(guān)于符合曲線描述錯(cuò)誤的是()。
下列對(duì)γ能譜的描述,錯(cuò)誤的是()。
改變下列哪項(xiàng)不會(huì)對(duì)活度探測(cè)產(chǎn)生明顯影響?()
關(guān)于符合的描述,下列說(shuō)法正確的是()。
對(duì)偶然符合描述正確的是()。
同位素中子源不包括哪一種?()
下列哪項(xiàng)不是中子探測(cè)的特點(diǎn)?()