A.它需要在低溫下工作
B.它需要在低溫下保存
C.工作時(shí)一般不能達(dá)到全耗盡狀態(tài)
D.不屬于PN結(jié)型探測(cè)器
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.高純鍺探測(cè)器是由Ge單晶制成
B.雜質(zhì)濃度約為105個(gè)原子/cm3
C.因?yàn)榧兌雀?，所以可以有很大的結(jié)區(qū)，即敏感體積
D.耗盡層內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度不是一致的
A.鋰漂移探測(cè)器不可以用來(lái)測(cè)量入射粒子的能量
B.Ge（Li）探測(cè)器須保存在低溫下
C.Si（Li）探測(cè)器可在常溫下保存
D.鋰漂移探測(cè)器能量分辨率高于NaI探測(cè)器
A.I區(qū)存在空間電荷
B.I區(qū)為耗盡層，但是電阻率低于106Ω
C.I區(qū)為主要的探測(cè)器敏感區(qū)域
D.因?yàn)榭臻g電荷的存在，平面型結(jié)構(gòu)I區(qū)內(nèi)不是均勻電場(chǎng)
A.Li為施主雜質(zhì)
B.鋰離子是用于漂移成探測(cè)器的唯一可用離子
C.基體用N型半導(dǎo)體
A.電流型前置放大器
B.電壓型前置放大器
C.電荷靈敏前置放大器
D.不需要使用前置放大器
A.結(jié)區(qū)的電場(chǎng)為均勻電場(chǎng)
B.耗盡區(qū)的寬度與摻雜濃度無(wú)關(guān)
C.結(jié)區(qū)電容與外加電壓無(wú)關(guān)
D.外加電壓增大，耗盡層的寬度增加
A.平均電離能比閃爍體探測(cè)器低
B.載流子數(shù)目服從泊松分布
C.電子遷移率與空穴遷移率相近
D.摻雜會(huì)大大降低半導(dǎo)體的電阻率
A.高的電阻率，短的載流子壽命
B.高的電阻率，長(zhǎng)的載流子壽命
C.低的電阻率，長(zhǎng)的載流子壽命
D.低的電阻率，短的載流子壽命
A.Li
B.B
C.P
D.Al
A.能量分辨率好
B.對(duì)γ射線的探測(cè)效率高
C.結(jié)構(gòu)緊湊
D.不易受射線損傷
最新試題
測(cè)量厚樣品α源，下列說(shuō)法正確的是（）。
常見(jiàn)的241Am-9Be中子源中，9Be的作用是（）。
下列關(guān)于真符合的描述錯(cuò)誤的是（）。
關(guān)于加速器中子源，描述錯(cuò)誤的是（）。
關(guān)于符合的描述，下列說(shuō)法正確的是（）。
下列關(guān)于符合曲線描述錯(cuò)誤的是（）。
測(cè)量能量10keV的γ射線，觀察到了在20keV處有一個(gè)明顯的峰，對(duì)于這些計(jì)數(shù)的分析正確的是（）。
小立體角法是測(cè)量α源活度的手段之一，關(guān)于此方法的描述錯(cuò)誤的是（）。
下列哪項(xiàng)不是中子探測(cè)的特點(diǎn)？（）
關(guān)于24Na-9Be中子源的描述不正確的是（）。