A.平面型探測器,吸收位置不同但是輸出信號基本相同
B.信號脈沖上升時間與入射帶電粒子產(chǎn)生電子-空穴對的位置有關(guān)
C.同軸型探測器,吸收位置不同但是輸出信號基本相同
D.輸出電壓脈沖信號是前沿不變的
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A.平面型體積較大
B.同軸型體積較小
C.兩者都不需要考慮空間電荷問題
D.對不同的結(jié)構(gòu)形式,靈敏體積內(nèi)的電場分布不同
A.它需要在低溫下工作
B.它需要在低溫下保存
C.工作時一般不能達(dá)到全耗盡狀態(tài)
D.不屬于PN結(jié)型探測器
A.高純鍺探測器是由Ge單晶制成
B.雜質(zhì)濃度約為105個原子/cm3
C.因為純度高,所以可以有很大的結(jié)區(qū),即敏感體積
D.耗盡層內(nèi)的電場強度不是一致的
A.鋰漂移探測器不可以用來測量入射粒子的能量
B.Ge(Li)探測器須保存在低溫下
C.Si(Li)探測器可在常溫下保存
D.鋰漂移探測器能量分辨率高于NaI探測器
A.I區(qū)存在空間電荷
B.I區(qū)為耗盡層,但是電阻率低于106Ω
C.I區(qū)為主要的探測器敏感區(qū)域
D.因為空間電荷的存在,平面型結(jié)構(gòu)I區(qū)內(nèi)不是均勻電場
A.Li為施主雜質(zhì)
B.鋰離子是用于漂移成探測器的唯一可用離子
C.基體用N型半導(dǎo)體
A.電流型前置放大器
B.電壓型前置放大器
C.電荷靈敏前置放大器
D.不需要使用前置放大器
A.結(jié)區(qū)的電場為均勻電場
B.耗盡區(qū)的寬度與摻雜濃度無關(guān)
C.結(jié)區(qū)電容與外加電壓無關(guān)
D.外加電壓增大,耗盡層的寬度增加
A.平均電離能比閃爍體探測器低
B.載流子數(shù)目服從泊松分布
C.電子遷移率與空穴遷移率相近
D.摻雜會大大降低半導(dǎo)體的電阻率
A.高的電阻率,短的載流子壽命
B.高的電阻率,長的載流子壽命
C.低的電阻率,長的載流子壽命
D.低的電阻率,短的載流子壽命
最新試題
關(guān)于24Na-9Be中子源的描述不正確的是()。
下列關(guān)于同位素源的特點的描述不正確的是()。
小立體角法是測量α源活度的手段之一,關(guān)于此方法的描述錯誤的是()。
關(guān)于中子的彈性、非彈性散射,下列說法錯誤的是()。
下列對中子慢化的描述正確的是()。
對于(D,D)反應(yīng)和(D,T)反應(yīng),下列描述正確的是()。
關(guān)于241Am-9Be中子源的描述不正確的是()。
常見的241Am-9Be中子源中,9Be的作用是()。
下列關(guān)于符合曲線描述錯誤的是()。
測量活度有相對法與絕對法,下列描述錯誤的是()。