A.更多非門(mén)
B.電感L
C.RC環(huán)節(jié)
D.大容量電容
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A.施密特觸發(fā)器
B.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.多諧振蕩器
D.集成定時(shí)器
A.可重觸發(fā)單穩(wěn)
B.單觸發(fā)單穩(wěn)
C.施密特觸發(fā)器
D.555定時(shí)器
A.提高VCC
B.降低VCC:
C.增大CX,
D.減小RX
A.0.7RxCx
B.RxCx
C.1.1RxCx
D.2.2RxCx
A.0.7RxCx
B.RxCx
C.1.1RxCx
D.2.2RxCx
A.≤2KΩ
B.≥2KΩ
C.≤700Ω
D.≥700Ω
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最新試題
TTL與非門(mén)輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是()
一個(gè)16選一的數(shù)據(jù)選擇器,其地址輸入(選擇控制輸入)端有()個(gè)。
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
TTL與非門(mén)輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是()
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),要求輸入每變化20mV,輸出信號(hào)的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電,()中的信息能夠保持不變。
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
10-4線優(yōu)先編碼器允許同時(shí)輸入()路編碼信號(hào)。
以下哪個(gè)編碼不能是二-十進(jìn)制譯碼器的輸入編碼()
TTL與非門(mén)閾值電壓UT的典型值是()