A.0.7RxCx
B.RxCx
C.1.1RxCx
D.2.2RxCx
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A.0.7RxCx
B.RxCx
C.1.1RxCx
D.2.2RxCx
A.≤2KΩ
B.≥2KΩ
C.≤700Ω
D.≥700Ω
A.施密特觸發(fā)器
B.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.多諧振蕩器
D.集成定時器
A.施密特觸發(fā)器
B.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.多諧振蕩器
D.集成定時器
A.施密特觸發(fā)器
B.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.多諧振蕩器
D.集成定時器
A.施密特觸發(fā)器
B.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.多諧振蕩器
D.集成定時器
A.施密特觸發(fā)器
B.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.多諧振蕩器
D.集成定時器
A.施密特觸發(fā)器
B.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.多諧振蕩器
D.集成定時器
A.異步清零
B.輸入使能
C.CP
D.輸出使能
A.上升沿
B.下降沿
C.高電平
D.低電平
最新試題
采用浮柵技術的EPROM中存儲的數據是()可擦除的。
兩個與非門構成的基本RS觸發(fā)器,當Q=1、Q=0時,兩個輸入信號R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會()。
以下代碼中為無權碼的為()。
TTL與非門輸出高電平的參數規(guī)范值是()
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài),如何避免不定狀態(tài)的出現?
小容量RAM內部存儲矩陣的字數與外部地址線數n的關系一般為()
一個兩輸入端的門電路,當輸入為10時,輸出不是1的門電路為()
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài),所以它不能被稱為()觸發(fā)器。
用1M×4的DRAM芯片通過()擴展可以獲得4M×8的存儲器。
TTL與非門閾值電壓UT的典型值是()