A、10min~20min相反
B、10min~20min相同
C、10min相反
D、20min相同
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A、100mm
B、90mm
C、110mm
D、120mm
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
A、0.1MPa,0.01MPa
B、0.01MPa,0.1MPa
C、0.01MPa,0.01MPa
D、0.1MPa,0.1MPa
A、50
B、150
C、50或150
D、50~150
A、40mm170mm
B、40mm160mm
C、30mm170mm
D、30mm160mm
A、(20±5)℃48h
B、(20±5)℃24h
C、(20±10)℃48h
D、(20±10)℃24h
A、10mm
B、15mm
C、20mm
D、25mm
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
最新試題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()