A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
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A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
A、0.1MPa,0.01MPa
B、0.01MPa,0.1MPa
C、0.01MPa,0.01MPa
D、0.1MPa,0.1MPa
A、50
B、150
C、50或150
D、50~150
A、40mm170mm
B、40mm160mm
C、30mm170mm
D、30mm160mm
A、(20±5)℃48h
B、(20±5)℃24h
C、(20±10)℃48h
D、(20±10)℃24h
A、10mm
B、15mm
C、20mm
D、25mm
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
A、最長裂紋
B、最短裂紋
C、裂紋長度平均值
D、裂紋長度總和
A、大面1mm
B、條面1mm
C、大面0.5mm
D、條面0.5mm
最新試題
下列是晶體的是()。
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
改良西門子法的顯著特點不包括()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;