A、40mm170mm
B、40mm160mm
C、30mm170mm
D、30mm160mm
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A、(20±5)℃48h
B、(20±5)℃24h
C、(20±10)℃48h
D、(20±10)℃24h
A、10mm
B、15mm
C、20mm
D、25mm
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
A、最長(zhǎng)裂紋
B、最短裂紋
C、裂紋長(zhǎng)度平均值
D、裂紋長(zhǎng)度總和
A、大面1mm
B、條面1mm
C、大面0.5mm
D、條面0.5mm
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
A、游標(biāo)卡尺
B、直尺
C、卷尺
D、磚用卡尺
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
可用作硅片的研磨材料是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
PN結(jié)的基本特性是()