A.不需要坩堝
B.避免了容器污染
C.更易獲得高純度硅
D.成本低
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A.鈍化晶界
B.鈍化錯位
C.鈍化電活性雜質(zhì)
A.頭尾料和鍋底料中含有的氧
B.晶體生長過程中硅熔體與石英坩堝作用引入的氧
C.石墨加熱器與坩堝反應(yīng)引入的氧
D.外界空氣的進入
A.氧及其相關(guān)缺陷
B.參雜濃度
C.以間隙鐵為主的過渡族金屬雜質(zhì)
D.材料中的缺陷密度及其分布
A.高能耗
B.成本低
C.產(chǎn)量高
D.質(zhì)量穩(wěn)定
A、1234
B、123
C、2457
D、4567
A、6
B、2
C、4
D、5
A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝
A、加料—縮頸生長—熔化—放肩生長—等徑生長—尾部生長
B、加料—熔化—縮頸生長—等徑生長—放肩生長—尾部生長
C、加料—熔化—等徑生長—放肩生長—縮頸生長—尾部生長
D、加料—熔化—縮頸生長—放肩生長—等徑生長—尾部生長
A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于
A、位錯
B、層錯
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯
最新試題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；