A.改變禁帶寬度;
B.產(chǎn)生復(fù)合中心;
C.產(chǎn)生空穴陷阱;
D.產(chǎn)生等電子陷阱。
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A.非本征
B.本征
A.1/4;
B.1/e;
C.1/e2;
D.1/2
A.①②④
B.②④⑤
C.①②④⑤
D.①②③④⑤
A.減小,減小
B.減小,增大
C.增大,增大
D.增大,減小
A.漂移遷移率
B.電導(dǎo)遷移率
C.霍爾遷移率
D.磁阻遷移率
A.(100)
B.(001)
C.(111)
D.(110)
A.單向?qū)щ娦?br />
B.半導(dǎo)性
C.電流放大性
D.絕緣性
A.光子效應(yīng)
B.霍爾效應(yīng)
C.熱電效應(yīng)
D.壓電效應(yīng)
A.光電效應(yīng)
B.光生伏特效應(yīng)
C.內(nèi)光電效應(yīng)
D.外光電效應(yīng)
A.機(jī)械拋光法
B.化學(xué)拋光法
C.手工拋光法
D.機(jī)械--化學(xué)拋光法
最新試題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
硅片拋光在原理上不可分為()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫械〈糠值牧?,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
PN結(jié)的基本特性是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
下列是晶體的是()。