多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）