多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）