A、EA，
B、ED，
C、EF，
D、Ei
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A、漂移
B、隧道
C、擴(kuò)散
A.改變禁帶寬度；
B.產(chǎn)生復(fù)合中心；
C.產(chǎn)生空穴陷阱；
D.產(chǎn)生等電子陷阱。
A.非本征
B.本征
A.1/4；
B.1/e；
C.1/e2；
D.1/2
A.①②④
B.②④⑤
C.①②④⑤
D.①②③④⑤
A.減小，減小
B.減小，增大
C.增大，增大
D.增大，減小
A.漂移遷移率
B.電導(dǎo)遷移率
C.霍爾遷移率
D.磁阻遷移率
A.（100）
B.（001）
C.（111）
D.（110）
A.單向?qū)щ娦?br />
B.半導(dǎo)性
C.電流放大性
D.絕緣性
A.光子效應(yīng)
B.霍爾效應(yīng)
C.熱電效應(yīng)
D.壓電效應(yīng)
最新試題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
硅片拋光在原理上不可分為（）
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）