A.ZL102
B.ZL202
C.ZL301
D.ZL402
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.淬火+低溫回火
B.淬火+中溫回火
C.調(diào)質(zhì)
D.調(diào)質(zhì)后表面淬火
A.M
B.M+A殘
C.M+B下+A殘
D.M+T+A殘
A.低于Ac1溫度
B.高于Ac1溫度而低于Ac3溫度
C.等于Ac3溫度
D.Ac3+30至50度
A.一次滲碳體
B.二次滲碳體
C.三次滲碳體
D.一次滲碳體和二次滲碳體
A.完全退火
B.再結(jié)晶退火
C.等溫退火
D.去應(yīng)力退火
A.不會在恒溫下結(jié)晶
B.不會發(fā)生相變
C.都能進(jìn)行形變強(qiáng)化
D.都能進(jìn)行時效強(qiáng)化
A.其晶粒形狀會改變
B.其機(jī)械性能會發(fā)生改變
C.其晶格類型會發(fā)生改變
D.其晶粒大小會發(fā)生改變
A.約40%
B.約4%
C.約0.4%
D.約0.04%
A.LF21
B.LY11
C.LC6
D.LD10
A.低溫正火
B.高溫正火
C.高溫退火
D.等溫退火
最新試題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
硅片拋光在原理上不可分為()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。