A.一次滲碳體
B.二次滲碳體
C.三次滲碳體
D.一次滲碳體和二次滲碳體
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A.完全退火
B.再結(jié)晶退火
C.等溫退火
D.去應(yīng)力退火
A.不會(huì)在恒溫下結(jié)晶
B.不會(huì)發(fā)生相變
C.都能進(jìn)行形變強(qiáng)化
D.都能進(jìn)行時(shí)效強(qiáng)化
A.其晶粒形狀會(huì)改變
B.其機(jī)械性能會(huì)發(fā)生改變
C.其晶格類型會(huì)發(fā)生改變
D.其晶粒大小會(huì)發(fā)生改變
A.約40%
B.約4%
C.約0.4%
D.約0.04%
A.LF21
B.LY11
C.LC6
D.LD10
A.低溫正火
B.高溫正火
C.高溫退火
D.等溫退火
A.高強(qiáng)度
B.高硬度
C.高耐磨性
D.高脆性
A.M+K
B.M+A+K
C.M回+A+K
D.S回+A+K
A.9SiCr
B.CrWMn
C.Cr12MoV
D.5CrMnMo
A.T12
B.9SiCr
C.W18Cr4V
D.YG3
最新試題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí),該表面態(tài)為();
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列是晶體的是()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()