A.光子與原子軌道電子的相互作用
B.電子與原子軌道電子的相互作用
C.質(zhì)子與原子軌道電子的相互作用
D.中子與原子軌道電子的相互作用
E.帶電離子與原子軌道電子的相互作用
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A.方向改變
B.數(shù)量損失
C.通量損失
D.動量損失
E.能量損失
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±5%
E.±10%
A.當(dāng)SSD改變時,TMR不變
B.當(dāng)SSD減小時,TMR增大
C.當(dāng)SSD增大時,TMR減小
D.當(dāng)SSD增大時,TMR增大
E.當(dāng)SSD減小時,TMR減小
A.沿軸向分布的電場和磁場
B.沿橫向分布的電場和磁場
C.沿軸向分布的電場和沿橫向分布的磁場
D.沿橫向分布的電場和沿軸向分布的磁場
E.沿軸分布方向相反的電場和磁場
A.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較強,與受照體積關(guān)聯(lián)較弱
B.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較強,與受熙、體積關(guān)聯(lián)較強
C.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較弱,與受照體積關(guān)聯(lián)較弱
D.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較弱,與受照體積關(guān)聯(lián)較強
E.只和受照最大劑量有關(guān)
A.能量越高,射野越小,表面劑量越高
B.能量越高,射野越大,表面劑量越高
C.能量越低,射野越小,表面劑量越高
D.能量越低,射野越大,表面劑量越高
E.能量影響相對較小,射野大小對表面劑量影響很大
A.對于60Coγ射線,任何深度處等劑量由線射線中心軸上的值都是最小的,隨著向射野邊界靠近而增加
B.對于60Coγ射線,任何深度處等劑量曲線射線中心軸上的值都是最小的,隨著向射野邊界靠近而減少
C.對于兆伏級光子線,在淺層深度處,同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大,這是由于均整塊的設(shè)計所導(dǎo)致的
D.對于兆伏級光子線,在淺層深度處,同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大,這是由于散射箔的設(shè)計所導(dǎo)致的
E.對于兆伏級光子線,在淺層深度處,同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大,這是由于光子線的靶設(shè)計所導(dǎo)致的
A.氟化鋰
B.氯化納
C.硫酸銅
D.硫酸鐵
E.硫酸亞鐵
A.不會改變
B.射野的劑量均勻性不變,半影區(qū)增寬
C.射野的劑量均勻性變好,半影區(qū)增寬
D.射野的劑量均勻性變劣,半影區(qū)變窄
E.射野的劑量均勻性變劣,半影區(qū)增寬
A.l個
B.2個
C.4個
D.8個
E.16個
最新試題
直線加速器使用的射野最大為()。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。
電磁掃描調(diào)強不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時間短的優(yōu)點,而且可實現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強治療。
LET=()Kev/μm 是高低LET 射線的分界線。
質(zhì)子束的優(yōu)勢在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
利用圓形小野旋轉(zhuǎn)集束照射是X(γ)射線SRT(SRS)的基本特征。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡稱分別為QA、QC。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度,也代表了細(xì)胞對亞致死損傷的修復(fù)能力。
光電效應(yīng)時入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級電子動能,另一部分為特征X 射線能量。