A.當(dāng)SSD改變時(shí),TMR不變
B.當(dāng)SSD減小時(shí),TMR增大
C.當(dāng)SSD增大時(shí),TMR減小
D.當(dāng)SSD增大時(shí),TMR增大
E.當(dāng)SSD減小時(shí),TMR減小
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A.沿軸向分布的電場(chǎng)和磁場(chǎng)
B.沿橫向分布的電場(chǎng)和磁場(chǎng)
C.沿軸向分布的電場(chǎng)和沿橫向分布的磁場(chǎng)
D.沿橫向分布的電場(chǎng)和沿軸向分布的磁場(chǎng)
E.沿軸分布方向相反的電場(chǎng)和磁場(chǎng)
A.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較強(qiáng),與受照體積關(guān)聯(lián)較弱
B.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較強(qiáng),與受熙、體積關(guān)聯(lián)較強(qiáng)
C.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較弱,與受照體積關(guān)聯(lián)較弱
D.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較弱,與受照體積關(guān)聯(lián)較強(qiáng)
E.只和受照最大劑量有關(guān)
A.能量越高,射野越小,表面劑量越高
B.能量越高,射野越大,表面劑量越高
C.能量越低,射野越小,表面劑量越高
D.能量越低,射野越大,表面劑量越高
E.能量影響相對(duì)較小,射野大小對(duì)表面劑量影響很大
A.對(duì)于60Coγ射線,任何深度處等劑量由線射線中心軸上的值都是最小的,隨著向射野邊界靠近而增加
B.對(duì)于60Coγ射線,任何深度處等劑量曲線射線中心軸上的值都是最小的,隨著向射野邊界靠近而減少
C.對(duì)于兆伏級(jí)光子線,在淺層深度處,同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大,這是由于均整塊的設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的
D.對(duì)于兆伏級(jí)光子線,在淺層深度處,同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大,這是由于散射箔的設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的
E.對(duì)于兆伏級(jí)光子線,在淺層深度處,同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大,這是由于光子線的靶設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的
A.氟化鋰
B.氯化納
C.硫酸銅
D.硫酸鐵
E.硫酸亞鐵
A.不會(huì)改變
B.射野的劑量均勻性不變,半影區(qū)增寬
C.射野的劑量均勻性變好,半影區(qū)增寬
D.射野的劑量均勻性變劣,半影區(qū)變窄
E.射野的劑量均勻性變劣,半影區(qū)增寬
A.l個(gè)
B.2個(gè)
C.4個(gè)
D.8個(gè)
E.16個(gè)
A.計(jì)時(shí)器的準(zhǔn)確性
B.18mm頭盔準(zhǔn)直器的總輸出劑量
C.每個(gè)頭盔的相對(duì)輸出因子
D.每個(gè)靶點(diǎn)的定位坐標(biāo)
E.應(yīng)急電源
A.機(jī)器輸出劑量率的變化
B.外照射中的平方反比參數(shù)
C.射野中擋塊對(duì)輸出劑量的影響
D.托盤因子的影響
E.契形因子的影響
A.1.138×10-4C/kg div
B.1.798×10-4C/kg div
C.2.936×10-4C/kg div
D.4.074×10-4C/kg div
E.5.21×10-4C/kg div
最新試題
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
實(shí)際患者治療時(shí),無環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
帶電粒子入射到物體時(shí),沒有確定的射程。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線能量。
利用圓形小野旋轉(zhuǎn)集束照射是X(γ)射線SRT(SRS)的基本特征。
組織最大劑量比TMR 和源皮距的關(guān)系是()。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度,也代表了細(xì)胞對(duì)亞致死損傷的修復(fù)能力。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。