A.虛源位置
B.眼光筒劑量校正因子
C.劑量率
D.有效源皮距
E.PDD
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A.使用立體定位框架固定
B.正常腦組織受量低
C.擺位精度高
D.單次劑量低
E.靶區(qū)邊緣外劑量下降銳利
A.室壁厚度
B.次級(jí)電子的最大射程
C.次級(jí)電子的平均射程
D.最大劑量深度
E.平衡帽厚度
A.電子
B.質(zhì)子
C.α粒子
D.中子
E.反沖核
A.光電效應(yīng)
B.康普頓效應(yīng)
C.電子對效應(yīng)
D.電荷積累效應(yīng)
E.電離室干效應(yīng)
A.<1mm
C.<3mm
D.<4mm
E.<5mm
A.放大線國
B.四端環(huán)流器
C.均整濾過器
D.電子散射箔
E.偏轉(zhuǎn)磁鐵
A.電離室
B.正比計(jì)數(shù)器
C.GM計(jì)數(shù)器
D.閃爍探測器
E.半導(dǎo)體探測器
A.調(diào)強(qiáng)放射治療與適形放射治療唯一的區(qū)別是使用逆向泊療計(jì)劃設(shè)計(jì)
B.調(diào)強(qiáng)放射治療只能使用筆形束的劑量計(jì)算方法
C.調(diào)強(qiáng)放射治療的實(shí)施方式只有動(dòng)態(tài)調(diào)強(qiáng)和靜態(tài)調(diào)強(qiáng)兩種
D.調(diào)強(qiáng)放射治療通常是在射野內(nèi)進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)整
E.調(diào)強(qiáng)放射治療只適用于凹形靶區(qū)
A.探測中子
B.探測電子
C.大致確定能量
D.準(zhǔn)確測定劑量
E.快速定位泄漏位置
A.X射線管
B.高壓發(fā)生器
C.控制臺(tái)
D.冷卻系統(tǒng)
最新試題
對加速器射野的對稱性和平坦度的檢查應(yīng)每月兩次。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡稱分別為QA、QC。
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線能量。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
實(shí)際患者治療時(shí),無環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度,也代表了細(xì)胞對亞致死損傷的修復(fù)能力。
LET=()Kev/μm 是高低LET 射線的分界線。