A.<1mm
C.<3mm
D.<4mm
E.<5mm
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你可能感興趣的試題
A.放大線國
B.四端環(huán)流器
C.均整濾過器
D.電子散射箔
E.偏轉(zhuǎn)磁鐵
A.電離室
B.正比計數(shù)器
C.GM計數(shù)器
D.閃爍探測器
E.半導(dǎo)體探測器
A.調(diào)強放射治療與適形放射治療唯一的區(qū)別是使用逆向泊療計劃設(shè)計
B.調(diào)強放射治療只能使用筆形束的劑量計算方法
C.調(diào)強放射治療的實施方式只有動態(tài)調(diào)強和靜態(tài)調(diào)強兩種
D.調(diào)強放射治療通常是在射野內(nèi)進行強度調(diào)整
E.調(diào)強放射治療只適用于凹形靶區(qū)
A.探測中子
B.探測電子
C.大致確定能量
D.準確測定劑量
E.快速定位泄漏位置
A.X射線管
B.高壓發(fā)生器
C.控制臺
D.冷卻系統(tǒng)
A.射野大小
B.射線能量
C.入射角度
D.測量深度
E.空氣濕度
A.1/4
B.1/3
C.1/2
D.2/3
E.3/4
A.放射源對患者直接照射的持續(xù)時間
B.從第一次照射開始,到最后一次照射結(jié)束的總時間
C.從第一次照射開始,到最后一次照射結(jié)束每次照射時間的總和
D.從第一次照射開始,到最后一次照射結(jié)束的總時間減去間斷時間
E.總照射時間
A.等距離照射
B.等中心照射
C.等中心旋轉(zhuǎn)照射
D.全身X射線照射
E.全身電子線照射
A.45
B.50
C.55
D.60
E.70
最新試題
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時,應(yīng)采用雙平面插植。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
實際患者治療時,無環(huán)重定位技術(shù)的靶點位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
檢查燈光野與射野的一致性通常用膠片法。
直線加速器使用的射野最大為()。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。
電離室型劑量儀在每次測量前必需對氣溫和氣壓進行修正。
α/β不僅代表了細胞存活曲線的曲度,也代表了細胞對亞致死損傷的修復(fù)能力。
人體曲面校正的組織空氣比法或組織最大劑量比方法的修正因子CF的表達式是()。