A.35cm
B.37.5cm
C.39.5cm
D.41.5cm
E.43.5cm
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A.增益比
B.治療比
C.標(biāo)準(zhǔn)劑量比
D.參考劑量比
E.耐受比
A.外照射射線源模擬
B.劑量?jī)x響應(yīng)模擬
C.外照射時(shí)體模內(nèi)輻射場(chǎng)模擬及腔內(nèi)放療源周圍輻射場(chǎng)模擬
D.外照射治療計(jì)劃應(yīng)用
E.以上各項(xiàng)
A.電子束無明顯建成效應(yīng)
B.電子束的皮膚劑量較高
C.電子束的照射范圍平坦
D.電子束射程較短
E.電子束容易被散射
A.R85
B.E0
C.RP
D.Rq
E.Dm
A.CT/MRI的兩維信息造成定位失真
B.治療位置很難重復(fù)
C.劑量計(jì)算的精度不夠
D.沒有采用逆向算法,優(yōu)化設(shè)計(jì)困難
E.以上各項(xiàng)
A.葉片長(zhǎng)度
B.葉片寬度
C.葉片高度
D.葉片形狀
E.葉片數(shù)目
A.每分次劑量應(yīng)小于3Gy
B.每天的最高分次照射總量應(yīng)小于4.8-5.0Gy
C.每分次的間隔時(shí)間應(yīng)大于4小時(shí)
D.兩周內(nèi)給予的總劑量不應(yīng)超過60Gy
E.以上各項(xiàng)
A.BED=nd*[1-d/(α/β)]
B.BED=nd*[1-d/(β/α)]
C.BED=nd*[1+d/(β/α)]
D.BED=nd*[1+d/(α/β)]
E.BED=nd*[1+(α/β)]
A.細(xì)胞增殖
B.細(xì)胞修復(fù)
C.細(xì)胞再氧合
D.細(xì)胞再群體化
E.細(xì)胞時(shí)相的再分布
A.0.5-0.8cm
B.0.5-1.0cm
C.0.8-1.0cm
D.0.5-1.6cm
E.0.8-1.6cm
最新試題
組織最大劑量比TMR 和源皮距的關(guān)系是()。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱分別為QA、QC。
對(duì)鈷60機(jī)射野的對(duì)稱性和平坦度的檢查應(yīng)每月一次。
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
對(duì)加速器射野的對(duì)稱性和平坦度的檢查應(yīng)每月兩次。
檢查燈光野與射野的一致性通常用膠片法。
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度,也代表了細(xì)胞對(duì)亞致死損傷的修復(fù)能力。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。