A.錐型束
B.直線束
C.筆型束
D.尖刀型束
E.“S”型束
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A.隨射線能量增加,表面劑量減少
B.隨射線能量減小,X射線污染減少
C.隨射線能量增加,高劑量坪區(qū)變寬
D.隨射線能量減小,劑量梯度增大
A.模體的散射
B.一級準(zhǔn)直器散射
C.二級準(zhǔn)直器散射
D.側(cè)向散射
E.反向散射
A.調(diào)整射線能量
B.調(diào)整射線質(zhì)
C.調(diào)整射野大小
D.調(diào)整射野的平坦度和對稱性
E.調(diào)整半影大小
A.1939
B.1945
C.1949
D.1955
E.1959
A.半衰期短,能量低
B.半衰期長,能量低
C.半衰期短,能量高
D.半衰期長,能量高
E.劑量分布差,操作復(fù)雜
A.10-60KV
B.60-160KV
C.180-400KV
D.400KV-1MV
E.2-50MV
A.射線質(zhì)
B.射線入射角度
C.照射劑量
D.洗片條件
E.照射劑量率
A.依賴于電離室的幾何形狀
B.依賴于電離室的制作材料
C.與電離室的比釋動能校準(zhǔn)因子NK有關(guān)
D.與照射量校準(zhǔn)因子NX有關(guān)
E.與吸收劑量校準(zhǔn)因子Cλ,CE有關(guān)
A.0.83;1590a
B.1.25;5.27a
C.0.662;33.0a
D.0.36;74.2d
E.0.028;59d
A.一維物理楔形板
B.動態(tài)楔形板
C.多葉準(zhǔn)直器動態(tài)掃描
D.多葉準(zhǔn)直器靜態(tài)掃描
E.筆形束電磁掃描
最新試題
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。
直線加速器使用的射野最大為()。
LET=()Kev/μm 是高低LET 射線的分界線。
等效射野指的是通過計算換算后的方形野。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
“4R”描述的是影響腫瘤和正常組織的輻射生物效應(yīng)因素。
電磁掃描調(diào)強不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時間短的優(yōu)點,而且可實現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強治療。
對加速器射野的對稱性和平坦度的檢查應(yīng)每月兩次。
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡稱分別為QA、QC。