A.半衰期短,能量低
B.半衰期長(zhǎng),能量低
C.半衰期短,能量高
D.半衰期長(zhǎng),能量高
E.劑量分布差,操作復(fù)雜
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A.10-60KV
B.60-160KV
C.180-400KV
D.400KV-1MV
E.2-50MV
A.射線質(zhì)
B.射線入射角度
C.照射劑量
D.洗片條件
E.照射劑量率
A.依賴于電離室的幾何形狀
B.依賴于電離室的制作材料
C.與電離室的比釋動(dòng)能校準(zhǔn)因子NK有關(guān)
D.與照射量校準(zhǔn)因子NX有關(guān)
E.與吸收劑量校準(zhǔn)因子Cλ,CE有關(guān)
A.0.83;1590a
B.1.25;5.27a
C.0.662;33.0a
D.0.36;74.2d
E.0.028;59d
A.一維物理楔形板
B.動(dòng)態(tài)楔形板
C.多葉準(zhǔn)直器動(dòng)態(tài)掃描
D.多葉準(zhǔn)直器靜態(tài)掃描
E.筆形束電磁掃描
A.乳腺癌術(shù)后胸壁照射
B.宮頸癌
C.食道癌
D.淋巴瘤
E.肺癌
A.1/5
B.1/4
C.1/3
D.1/2
E.2/3
A.石蠟
B.聚苯乙烯
C.有機(jī)玻璃
D.鉛
E.濕毛巾
A.一級(jí)準(zhǔn)直器
B.均整器
C.治療準(zhǔn)直器
D.射線擋塊
E.托盤(pán)
A.與核外電子發(fā)生非彈性碰撞
B.與原子核發(fā)生非彈性碰撞
C.與核外電子發(fā)生彈性碰撞
D.與原子核發(fā)生彈性碰撞
E.與原子核發(fā)生核反應(yīng)
最新試題
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>
半影為射野邊緣劑量隨離開(kāi)中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
電離室型劑量?jī)x在每次測(cè)量前必需對(duì)氣溫和氣壓進(jìn)行修正。
利用圓形小野旋轉(zhuǎn)集束照射是X(γ)射線SRT(SRS)的基本特征。
帶電粒子入射到物體時(shí),沒(méi)有確定的射程。
對(duì)重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
實(shí)際患者治療時(shí),無(wú)環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
伽瑪?shù)栋悬c(diǎn)位置精度高于X射線立體定向治療系統(tǒng)的精度。