A.設(shè)計(jì)合理的外電路（抗飽和電路）
B.加大UBE
C.選擇開關(guān)時(shí)間較小的管子
D.減小UBE
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.74LS00
B.74LS04
C.CD4511
D.CD4017
A.集電極開路
B.三態(tài)門輸出
C.圖騰柱輸出
D.復(fù)合管和圖騰柱輸出
A.與門
B.與非門
C.非門
D.或門
A.接地
B.接電源
C.懸空
D.與使用端并聯(lián)
A.接地
B.接電源
C.懸空
D.與使用端并聯(lián)
A.噪聲容限低
B.電源適用范圍寬
C.功耗極低
D.扇出能力強(qiáng)
A.微功耗
B.高速度
C.高抗干擾能力
D.電源范圍寬
A.降低飽和深度
B.增加飽和深度
C.采用有源泄放回路
D.采用抗飽和三極管
A.懸空
B.通過電阻2.7kΩ接電源
C.通過電阻2.7kΩ接地
D.通過電阻510Ω接地
A.正或門
B.正非門
C.正與門
D.負(fù)或門
最新試題
利用2個(gè)74LS138和1個(gè)非門，可以擴(kuò)展得到1個(gè)（）線譯碼器。
要使JK觸發(fā)器的輸出Q從1就成0，它的輸入信號(hào)JK就為（）。
什么是觸發(fā)器的空翻現(xiàn)象，如何避免空翻？
一個(gè)VHDL模塊是否必須有一個(gè)實(shí)體和一個(gè)結(jié)構(gòu)體？是否可以有多個(gè)實(shí)體和結(jié)構(gòu)體？簡(jiǎn)述它們的作用。
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
ROM可以用來存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù)，但它不可以用來實(shí)現(xiàn)（）。
雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路？請(qǐng)說明理由。
DRAM4164有2根片選線（RAS和CAS）、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少？
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了（）對(duì)轉(zhuǎn)換精度的影響。
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。