多項(xiàng)選擇題三極管作為開關(guān)使用時(shí),要提高開關(guān)速度,可()。

A.降低飽和深度
B.增加飽和深度
C.采用有源泄放回路
D.采用抗飽和三極管


你可能感興趣的試題

1.多項(xiàng)選擇題TTL電路在正邏輯系統(tǒng)中,以下各種輸入中()相當(dāng)于輸入邏輯“1”。

A.懸空
B.通過(guò)電阻2.7kΩ接電源
C.通過(guò)電阻2.7kΩ接地
D.通過(guò)電阻510Ω接地

2.多項(xiàng)選擇題邏輯表達(dá)式Y(jié)=AB可以用()實(shí)現(xiàn)。

A.正或門
B.正非門
C.正與門
D.負(fù)或門

3.多項(xiàng)選擇題以下電路中不能用于總線應(yīng)用的有()。

A.TSL門
B.OC門
C.漏極開路門
D.CMOS與非門

4.多項(xiàng)選擇題以下電路中可以實(shí)現(xiàn)“線與”功能的有()。

A.與非門
B.三態(tài)輸出門
C.集電極開路門
D.漏極開路門

5.多項(xiàng)選擇題三態(tài)門輸出高阻狀態(tài)時(shí),()是正確的說(shuō)法。

A.用電壓表測(cè)量指針不動(dòng)
B.相當(dāng)于懸空
C.電壓不高不低
D.測(cè)量電阻指針不動(dòng)

6.單項(xiàng)選擇題以下四種轉(zhuǎn)換器,()是A/D轉(zhuǎn)換器且轉(zhuǎn)換速度最高。

A.并聯(lián)比較型
B.逐次逼近型
C.雙積分型
D.施密特觸發(fā)器

8.單項(xiàng)選擇題用二進(jìn)制碼表示指定離散電平的過(guò)程稱為()。

A.采樣
B.量化
C.保持
D.編碼

最新試題

()在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用,其中一個(gè)重要用途是構(gòu)成數(shù)據(jù)總線。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

10-4線優(yōu)先編碼器允許同時(shí)輸入()路編碼信號(hào)。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少?

題型:?jiǎn)柎痤}

一個(gè)VHDL模塊是否必須有一個(gè)實(shí)體和一個(gè)結(jié)構(gòu)體?是否可以有多個(gè)實(shí)體和結(jié)構(gòu)體?簡(jiǎn)述它們的作用。

題型:?jiǎn)柎痤}

7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

判斷如下VHDL的操作是否正確,如不正確,請(qǐng)改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT,c是INTEGER,執(zhí)行c<=a+b。

題型:?jiǎn)柎痤}

簡(jiǎn)述用譯碼器或多路選擇器實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路的不同之處。

題型:?jiǎn)柎痤}