A.狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖
B.特性方程
C.卡諾圖
D.數(shù)理方程
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A.計(jì)數(shù)器
B.移位寄存器
C.全加器
D.序列信號(hào)檢測(cè)器
A.8
B.4
C.3
D.2
A.0111
B.0110
C.1000
D.0011
A.10個(gè)CP脈沖,正脈沖寬度為1個(gè)CP周期
B.10個(gè)CP脈沖,正脈沖寬度為2個(gè)CP周期
C.10個(gè)CP脈沖,正脈沖寬度為4個(gè)CP周期
D.10個(gè)CP脈沖,正脈沖寬度為8個(gè)CP周期
A.只能用反饋復(fù)位法清零
B.只能用修改驅(qū)動(dòng)方程的方法
C.必須用反饋復(fù)位法清零并修改驅(qū)動(dòng)方程
D.可以采用反饋復(fù)位法(置位法),也可以采用修改驅(qū)動(dòng)方程的方法保證電路能白行啟動(dòng)。
A.10
B.20
C.1000
D.1024
A.2
B.128
C.8
D.256
A.8和8
B.6和3
C.6和8
D.3和6
A.與CP和D有關(guān)
B.與CP和D無關(guān)
C.只與CP有關(guān)
D.只與D有關(guān)
A.8
B.16
C.128
D.256
最新試題
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),要求輸入每變化20mV,輸出信號(hào)的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時(shí),兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)()。
要使JK觸發(fā)器的輸出Q從1就成0,它的輸入信號(hào)JK就為()。
雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路?請(qǐng)說明理由。
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
以下哪個(gè)編碼不能是二-十進(jìn)制譯碼器的輸入編碼()
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
TTL與非門閾值電壓UT的典型值是()
若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電,()中的信息能夠保持不變。
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少?