A.或非
B.OC
C.三態(tài)
D.與或非
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A.TTL
B.CMOS
B.NMOS
D.PMOS
A.輸出電壓與輸入電壓之間的關(guān)系數(shù)
B.輸iU電壓與輸入電流之間的關(guān)系數(shù)
C.輸出端能帶同類門的今個(gè)數(shù)
D.輸入端數(shù)
A.互為反函數(shù)
B.互為對(duì)偶式
B.相等
D.答案都不正確
A.倒相
B.邏輯乘
C.提高帶負(fù)載能力
D.提高抗干擾能力
A.原子和中子
B.電子和空穴
C.電子和質(zhì)子
D.電子和離子
A.發(fā)射結(jié)正偏置,集電結(jié)反偏置
B.發(fā)射結(jié)正偏置,集電結(jié)正偏置
C.發(fā)射結(jié)反偏置,集電結(jié)正偏置
D.發(fā)射結(jié)反偏置,集電結(jié)反偏置
A.VD>0.5V,VD<0.7V
B.VD>0.7V,VD<0.5V
C.VD>0.7V,VD<0.7V
D.VD>0.5V,VD<0.5V
A.互非
B.對(duì)偶
C.相等
D.無(wú)任何關(guān)系
A.連續(xù)變化的
B.模擬
C.離散的
D.數(shù)字
A.幾十納秒
B.幾十微秒
C.幾百微秒
D.幾十毫秒
最新試題
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比,權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了()對(duì)轉(zhuǎn)換精度的影響。
10-4線優(yōu)先編碼器允許同時(shí)輸入()路編碼信號(hào)。
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
以下代碼中為無(wú)權(quán)碼的為()。
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是()。
簡(jiǎn)述用譯碼器或多路選擇器實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路的不同之處。
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
根據(jù)什么判斷簡(jiǎn)單電路中的險(xiǎn)象存在?
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是()
什么是觸發(fā)器的空翻現(xiàn)象,如何避免空翻?