單項(xiàng)選擇題與其他的劑量測量方法相比，半導(dǎo)體劑量計(jì)具有的優(yōu)點(diǎn)是（）。

A.高靈敏度、高抗輻射能力、溫度影響小、靈敏體積小
B.高靈敏度、能量反應(yīng)范圍寬、溫度影響小、靈敏體積小
C.高靈敏度、高抗輻射能力、高能量響應(yīng)范圍、溫度影響小
D.高靈敏度、能量響應(yīng)范圍寬、溫度影響小
E.高靈敏度、能量響應(yīng)范圍寬、靈敏體積小


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1.單項(xiàng)選擇題使用石墨材料制作指型電離室的原因是（）。

A.該材料易于加工
B.該材料不易損壞
C.該材料價(jià)格便宜
D.該材料對測量結(jié)果影響小
E.該材料顏色適合

2.單項(xiàng)選擇題使用指型電離室劑量儀測量吸收劑量時(shí)，應(yīng)主要注意的問題為（）。

A.電離室的方向性、桿效應(yīng)及溫度氣壓的影響
B.電離室的工作電壓、桿效應(yīng)及溫度氣壓的影響
C.電離室的工作電壓、方向性、桿效應(yīng)及溫度氣壓的影響
D.電離室的工作電壓、方向性、桿效應(yīng)及溫度氣壓的影響
E.電離室的工作電壓、方向性、一致性及溫度氣壓的影響

3.單項(xiàng)選擇題吸收劑量測量通常使用如下幾種方法（）。

A.空氣劑量計(jì)、半導(dǎo)體劑量計(jì)、膠片劑量計(jì)、熒光板
B.熱釋光劑量儀、半導(dǎo)體劑量計(jì)、膠片劑量計(jì)、光電倍增管
C.電離室型劑量儀、半導(dǎo)體劑量計(jì)、熱釋光劑量儀、膠片劑量計(jì)
D.非晶硅探測器、電離室型劑量儀、半導(dǎo)體劑量計(jì)、膠片劑量計(jì)
E.熒光板、半導(dǎo)體劑量計(jì)、膠片劑量計(jì)、熱釋光劑量儀

4.單項(xiàng)選擇題當(dāng)滿足電子平衡條件時(shí)，吸收劑量和比釋動能什么情況下數(shù)值上相等（）。

A.加上俄歇電子的能量時(shí)
B.加上韌致輻射損失的能量時(shí)
C.忽略韌致輻射損失的能量時(shí)
D.忽略俄歇電子的能量時(shí)
E.加上俄歇電子和韌致輻射損失的能量時(shí)

7.單項(xiàng)選擇題電離輻射入射到介質(zhì)內(nèi)時(shí)，會產(chǎn)生所謂的"建成效應(yīng)"，它指的是（）。

A.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加而減少，直到吸收劑量達(dá)到最小
B.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加而增加，直到吸收劑量達(dá)到最大
C.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加先增加然后減少，直到吸收劑量達(dá)到最小
D.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加而增加，直到吸收劑量達(dá)到最小
E.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加而減少，直到吸收劑量達(dá)到最大

8.單項(xiàng)選擇題電子平衡指的是（）。

A.介質(zhì)中某小區(qū)域的電子數(shù)目達(dá)到某種重量平衡
B.介質(zhì)中某小區(qū)域的電子逃不出該處從而使電子數(shù)目在一段時(shí)間內(nèi)固定不變
C.介質(zhì)中某小區(qū)域入射的電子數(shù)目與逃出該處的電子數(shù)目相同
D.介質(zhì)中某小區(qū)域次級電子帶走的入射光子貢獻(xiàn)的能量與入射該區(qū)的次級電子帶來的能量相等
E.介質(zhì)中電子數(shù)量達(dá)到某一數(shù)值，與另外一處數(shù)目相同

9.單項(xiàng)選擇題照射量X的國際單位制是（）。

A.庫侖C.
B.倫琴（R）
C.戈瑞（Gy）
D.C/kg
E.拉德（raD.

10.單項(xiàng)選擇題空氣中某點(diǎn)的照射量定義為（）。

A.光子釋放的次級電子被完全阻止時(shí)，產(chǎn)生的離子電荷量與單位質(zhì)量空氣的比值
B.光子釋放的次級電子被完全阻止時(shí)，產(chǎn)生的離子總電荷量與單位質(zhì)量空氣的比值
C.光子釋放的次級電子被完全阻止時(shí)，產(chǎn)生的同一種符號的離子總電荷量與單位質(zhì)量空氣的比值
D.光子釋放的所有次級電子被完全阻止時(shí)，產(chǎn)生的同一種符號的離子總電荷量與單位質(zhì)量空氣的比值
E.光子釋放的所有次級電子被完全阻止時(shí)，產(chǎn)生的同一種符號的離子總電荷量的絕對值與單位質(zhì)量空氣的比值