A.電離室的方向性、桿效應(yīng)及溫度氣壓的影響
B.電離室的工作電壓、桿效應(yīng)及溫度氣壓的影響
C.電離室的工作電壓、方向性、桿效應(yīng)及溫度氣壓的影響
D.電離室的工作電壓、方向性、桿效應(yīng)及溫度氣壓的影響
E.電離室的工作電壓、方向性、一致性及溫度氣壓的影響
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A.空氣劑量計、半導(dǎo)體劑量計、膠片劑量計、熒光板
B.熱釋光劑量儀、半導(dǎo)體劑量計、膠片劑量計、光電倍增管
C.電離室型劑量儀、半導(dǎo)體劑量計、熱釋光劑量儀、膠片劑量計
D.非晶硅探測器、電離室型劑量儀、半導(dǎo)體劑量計、膠片劑量計
E.熒光板、半導(dǎo)體劑量計、膠片劑量計、熱釋光劑量儀
A.加上俄歇電子的能量時
B.加上韌致輻射損失的能量時
C.忽略韌致輻射損失的能量時
D.忽略俄歇電子的能量時
E.加上俄歇電子和韌致輻射損失的能量時
A.100cGy
B.150cGy
C.180cGy
D.200cGy
E.250cGy
A.100cGy
B.150cGy
C.180cGy
D.200cGy
E.250cGy
A.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加而減少,直到吸收劑量達(dá)到最小
B.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加而增加,直到吸收劑量達(dá)到最大
C.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加先增加然后減少,直到吸收劑量達(dá)到最小
D.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加而增加,直到吸收劑量達(dá)到最小
E.介質(zhì)內(nèi)的吸收劑量隨介質(zhì)表面下的深度增加而減少,直到吸收劑量達(dá)到最大
A.介質(zhì)中某小區(qū)域的電子數(shù)目達(dá)到某種重量平衡
B.介質(zhì)中某小區(qū)域的電子逃不出該處從而使電子數(shù)目在一段時間內(nèi)固定不變
C.介質(zhì)中某小區(qū)域入射的電子數(shù)目與逃出該處的電子數(shù)目相同
D.介質(zhì)中某小區(qū)域次級電子帶走的入射光子貢獻(xiàn)的能量與入射該區(qū)的次級電子帶來的能量相等
E.介質(zhì)中電子數(shù)量達(dá)到某一數(shù)值,與另外一處數(shù)目相同
A.庫侖C.
B.倫琴(R)
C.戈瑞(Gy)
D.C/kg
E.拉德(raD.
A.光子釋放的次級電子被完全阻止時,產(chǎn)生的離子電荷量與單位質(zhì)量空氣的比值
B.光子釋放的次級電子被完全阻止時,產(chǎn)生的離子總電荷量與單位質(zhì)量空氣的比值
C.光子釋放的次級電子被完全阻止時,產(chǎn)生的同一種符號的離子總電荷量與單位質(zhì)量空氣的比值
D.光子釋放的所有次級電子被完全阻止時,產(chǎn)生的同一種符號的離子總電荷量與單位質(zhì)量空氣的比值
E.光子釋放的所有次級電子被完全阻止時,產(chǎn)生的同一種符號的離子總電荷量的絕對值與單位質(zhì)量空氣的比值
A.電離粒子在介質(zhì)中釋放的初始動能之積
B.電離粒子在介質(zhì)中釋放的帶電粒子與不帶電粒子的初始動能之差
C.電離粒子在介質(zhì)中釋放的帶電粒子與不帶電粒子的初始動能之商
D.不帶電電離粒子在介質(zhì)中釋放的全部帶電粒子初始動能之和
E.電離粒子在介質(zhì)中釋放的初始動能之和
A.rad
B.C/kg
C.J/kg
D.J·kg
E.Sv
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