單項(xiàng)選擇題如果磁懸液的濃度過(guò)大,會(huì)引起()。

A.掩蓋掉缺陷的磁痕
B.使襯度變好
C.檢測(cè)靈敏度更高,沒(méi)有什么壞處
D.不得不增加磁化電流


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1.單項(xiàng)選擇題下列有關(guān)磁懸液的制作方法的敘述,正確的是()。

A.把磁粉很快地投入大量的水中,然后仔細(xì)地?cái)嚢?br /> B.先把磁粉和少量水?dāng)嚢?,然后再慢慢地稀?br /> C.先把磁粉用表面活性劑仔細(xì)攪拌,然后再用水沖淡,分散于大量的水中
D.熒光磁粉中加入表面活性劑放入研缽,用研棒仔細(xì)研磨后,再把它分散于大量的水中

2.單項(xiàng)選擇題磁懸液中的磁粉濃度()測(cè)量。

A.稱(chēng)磁懸液的重量
B.將磁粉吸入苯中
C.使磁粉從磁懸液中沉淀出來(lái)
D.測(cè)量磁鐵上吸引的磁粉

3.單項(xiàng)選擇題下列有關(guān)磁粉的敘述正確的是()。

A.磁粉應(yīng)具有高的磁導(dǎo)率
B.磁粉應(yīng)有大的矯頑力
C.磁粉粒度與缺陷大小無(wú)關(guān),越小越好
D.磁粉的沉降速度越快越好

4.單項(xiàng)選擇題采用濕式連續(xù)法時(shí),來(lái)自軟管的磁懸液應(yīng)在()。

A.通電后立即切斷
B.通電前的瞬間切斷
C.通電過(guò)程中切斷
D.通電前30S切斷

5.單項(xiàng)選擇題下列關(guān)于預(yù)處理的敘述中,正確的是()。

A.為保證磁粉探傷結(jié)果,必須完全清除探傷面上的固體附著物
B.在預(yù)處理時(shí),必須考慮磁粉的施加方法
C.在剩磁法中,經(jīng)過(guò)磁化后在施加磁粉前,不得使用鋼絲刷清除探傷面上的臟物
D.A、B和C

6.單項(xiàng)選擇題磁粉探傷前不允許用()去除零件表面的油或潤(rùn)滑脂層。

A.溶劑清洗
B.蒸汽除油
C.將白粉或滑石粉撒到表面,然后用干燥清潔的布擦凈
D.用鋼絲刷刷凈

7.單項(xiàng)選擇題用直接通電法時(shí),觸頭前加銅墊、鋁錫合金或金屬絲編織網(wǎng)帶后再與工件接觸通電,是為了()。

A、使接觸點(diǎn)電阻增加
B、在工件中獲得較高的磁場(chǎng)
C、增加表面接觸面積,避免接觸點(diǎn)高溫而燒壞試件表面
D、避免因發(fā)熱而引起的導(dǎo)磁不良

8.單項(xiàng)選擇題黑光燈的強(qiáng)度應(yīng)用()測(cè)量。

A.帶10倍擴(kuò)程器的光度計(jì)
B.帶琥珀場(chǎng)濾波器的光度計(jì)
C.調(diào)節(jié)到3425×10-10m的光度計(jì)
D.額定值為M2的光度計(jì)

9.單項(xiàng)選擇題下列有關(guān)磁粉探傷用的設(shè)備裝置的敘述,()是正確的。

A.用線(xiàn)圈法磁化時(shí),線(xiàn)圈的形狀與磁場(chǎng)強(qiáng)度無(wú)關(guān)
B.噴嘴噴灑磁懸液時(shí)的壓力對(duì)缺陷磁痕的形成有很大影響
C.交流磁化裝置不易發(fā)現(xiàn)表面缺陷,但能發(fā)現(xiàn)近表面缺陷
D.A、B和C

最新試題

用雙晶探頭檢測(cè)時(shí),為增加缺陷顯現(xiàn)次數(shù)和反射幅度,檢測(cè)細(xì)長(zhǎng)缺陷應(yīng)使探頭()。

題型:多項(xiàng)選擇題

超聲波檢測(cè)發(fā)現(xiàn)缺陷,在不同的方向上檢測(cè),缺陷回波呈現(xiàn)此起比伏互相彼連的狀態(tài),判定為()。

題型:多項(xiàng)選擇題

采用橫波斜探頭在圓柱曲面外圓進(jìn)行周向檢測(cè)時(shí),缺陷定位說(shuō)法正確的有()。

題型:多項(xiàng)選擇題

工藝評(píng)定試件焊后應(yīng)進(jìn)行()。

題型:多項(xiàng)選擇題

在氣候潮濕地區(qū)或潮濕季節(jié),儀器長(zhǎng)期不用,應(yīng)做到(),以驅(qū)除潮氣,防止儀器內(nèi)部短路或擊穿。

題型:多項(xiàng)選擇題

利用鋼材磁特性曲線(xiàn)制定周向磁化規(guī)范時(shí),連續(xù)法周向磁場(chǎng)的選擇一般應(yīng)在()之間為宜。

題型:多項(xiàng)選擇題

在沒(méi)有外加磁場(chǎng)作用時(shí),鐵磁性材料內(nèi)出現(xiàn)()現(xiàn)象。

題型:多項(xiàng)選擇題

阻止?jié)B透液滲入及滲出表面開(kāi)口缺陷的固體污染物有()。

題型:多項(xiàng)選擇題

滲透檢測(cè)工藝對(duì)顯像操作的要求有()。

題型:多項(xiàng)選擇題

單晶體金屬特點(diǎn)有()。

題型:多項(xiàng)選擇題