A.增加kV
B.增加mA
C.降低kV
D.延長(zhǎng)曝光時(shí)間
E.增加靶原子序數(shù)
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A.對(duì)比度增大
B.散射線減少
C.模糊值降低
D.放大率增大
E.焦點(diǎn)面積減小
A.監(jiān)視器
B.鍵盤(pán)
C.融帶
D.光盤(pán)
E.硬盤(pán)
A.像素是組成圖像的基本單元
B.像素大小與矩陣大小無(wú)關(guān)
C.像素排列方式根據(jù)矩陣變化
D.像素與發(fā)光品體結(jié)構(gòu)無(wú)關(guān)
E.像素與一個(gè)三維概念
A.X線照片影像能顯示被照體結(jié)構(gòu)
B.吸收差異與組織對(duì)X線衰減有關(guān)
C.同體形受檢者攝影條件一樣
D.骨質(zhì)稀疏,對(duì)X線吸收程度小
E.應(yīng)盡量減少移動(dòng)造成的圖像模糊
A.矩陣是一個(gè)化學(xué)概念
B.矩陣有影像矩陣和顯示矩陣之分
C.矩陣大小能表示構(gòu)成一幅圖像的像素?cái)?shù)量多少
D.當(dāng)視野大小固定,矩陣越大,像素尺寸越小
E.矩陣不變時(shí),視野增大,像素尺寸隨之增大
A.20kV
B.30kV
C.40kV
D.50kV
E.60kV
A.數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
B.探測(cè)器
C.模/數(shù)轉(zhuǎn)換器
D.數(shù)/模轉(zhuǎn)換器
E.顯示器
A.磁體室的b射頻屏蔽
B.溫度,18℃~24℃
C.濕度,40%~65%
D.射線防護(hù)
E.磁體室門外應(yīng)粘貼相應(yīng)啟示告知
A.冠狀位
B.矢狀位
C.橫斷軸位和冠狀位
D.橫斷軸位和矢狀位
E.冠狀位和矢狀位
A.激光熱成像技術(shù)
B.激光打印后經(jīng)自顯機(jī)沖洗成像技術(shù)
C.直熱式熱升華黑白成像技術(shù)
D.直接熱敏成像技術(shù)
E.彩色熱膜式成像技術(shù)
最新試題
正方形的圖像矩陣,像素寬度減少一半,則像素總數(shù)增加()。
對(duì)彩色熱升華打印技術(shù)的描述,錯(cuò)誤的是()。
CT機(jī)有兩種不同的數(shù)據(jù)采集方法,一種是一層一層即逐層采集法(序列掃描),另一種是容積數(shù)據(jù)采集法(螺旋掃描),目前仍基本采用序列掃描的檢查部位是()。
目前,測(cè)量顆粒度最常用的方法是()。
影像閱讀裝置的英文縮寫(xiě)是()。
關(guān)于層厚的描述,錯(cuò)誤的是()。
在X線影像信息的傳遞中,在視網(wǎng)膜上形成視覺(jué)影像的是()。
與X線焦點(diǎn)模糊、半影無(wú)關(guān)的是()。
影像銳利度增加的是()。
下列選項(xiàng)中,關(guān)于CR的描述錯(cuò)誤的是()。