A.HMDS
B.BSTFA
C.BSA
D.TSIM
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A.峰拖尾
B.分裂峰
C.峰面積減少
D.FID檢測(cè)器熄滅
A.檢測(cè)器響應(yīng)能力的改變
B.進(jìn)樣口歧視效應(yīng)
C.注射器泄露或堵塞
D.分流比變小
A.襯管、分流平板或色譜柱被污染
B.色譜柱端口切割不平整
C.進(jìn)樣口溫度不合適
D.注射技術(shù)有問題
A.減少進(jìn)樣體積
B.增加分流比
C.稀釋樣品
D.使用分流不分流進(jìn)樣口
A.分流平板
B.分流出口捕集阱
C.流量控制閥
D.襯管
A.色譜柱規(guī)格發(fā)生了變化
B.隔墊或色譜柱連接處發(fā)生漏氣
C.分流管路堵塞
D.色譜柱收到污染
A.檢測(cè)器被污染
B.其他受到污染或純度不夠
C.進(jìn)樣口被污染
D.隔墊降解
A.流量和溫度設(shè)置值改變
B.色譜柱被污染
C.氣體被污染
D.在注射樣品后的一瞬間，隔墊處有泄露
A.硫393nm
B.硫525nm
C.磷393nm
D.磷525nm
A.銣珠的正常損耗
B.“調(diào)整偏移量”過低
C.進(jìn)樣量不準(zhǔn)確
D.標(biāo)準(zhǔn)濃度偏小
最新試題
氣相色譜使用完畢后需要在軟件界面關(guān)閉連接，關(guān)閉控制面板。
進(jìn)樣針抽液有氣泡或抽不上樣品時(shí)需要在推桿上增加固體密封脂，涂均勻后將桿推入。
uECD檢測(cè)器在熱清洗時(shí)，如色譜柱最高溫度小于250℃，則需要從檢測(cè)器上取下色譜柱。
如氣相色譜在運(yùn)行過程中，因流量和溫度設(shè)置值改變而導(dǎo)致的基線波動(dòng)，可以通過進(jìn)行（）來修正基線的漂移。
FID檢測(cè)器是一個(gè)破壞性、質(zhì)量型檢測(cè)器，火焰中生產(chǎn)大量的（），被收集后形成檢測(cè)器信號(hào)。
uECD檢測(cè)器一般將尾吹氣設(shè)置為30-60ml/min。
含有N、P元素的樣品分解后，產(chǎn)生電負(fù)性物質(zhì)，經(jīng)過熱離子源表面，被催化形成正態(tài)離子及電子形成微電流，這是NPD檢測(cè)器的檢測(cè)原理。
熱導(dǎo)檢測(cè)器TCD的參比氣和尾吹氣必須是同一種氣體，但載氣可以是另外一種氣體。
由于進(jìn)樣針的長期使用導(dǎo)致的磨損情況，使得進(jìn)樣體積不準(zhǔn)，由此我們可以進(jìn)行溶劑校正來減少誤差。
如果色譜柱被污染或使用時(shí)間過長導(dǎo)致了基線波動(dòng)或柱效下降，應(yīng)對(duì)色譜柱進(jìn)行（）處理。