A.是通過觸診或影像學(xué)檢查確定的腫瘤細(xì)胞集中的體積
B.可以是原發(fā)病灶
C.可以使轉(zhuǎn)移的淋巴結(jié)
D.包含潛在的受侵犯組織
E.是與照射技術(shù)有關(guān)的區(qū)域
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A.隨著電子束能量的增加，其表面劑量降低、高劑量坪區(qū)變窄、劑量跌落梯度增加，并且X線污染減小
B.隨著電子束能量的增加，其表面劑量降低、高劑量坪區(qū)變寬、劑量跌落梯度減少，并且X線污染增加
C.隨著電子束能量的增加，其表面劑量增加、高劑量坪區(qū)變寬、劑量跌落梯度減少，并且X線污染增加
D.隨著電子束能量的增加，其表面劑量增加、高劑量坪區(qū)變窄、劑量跌落梯度增加，并且X線污染增加
E.隨著電子束能量的增加，其表面劑量增加、高劑量坪區(qū)變寬、劑量跌落梯度減少，并且X線污染減小
A.0.2mm
B.0.5mm
C.1.0mm
D.1.5mm
E.2.0mm
A.以DNA雙鍵斷裂造成細(xì)胞死亡為理論依據(jù)
B.兩個(gè)不同電離粒子不能協(xié)同作用來殺死細(xì)胞
C.建立在上皮和皮下組織放射耐受性的基礎(chǔ)上，主要適用于5~30次分割照射范圍
D.α/β比值受所選擇的生物效應(yīng)水平的影響，因而不能反映早期反應(yīng)組織和晚期反應(yīng)組織以及腫瘤對劑量反應(yīng)的差別
E.是靶理論模型的一種
A、指形電離室的靈敏體積通常為0.1~1.5cm3
B、指形電離室由靜電極、測量極和保護(hù)極組成
C、指形電離室一般不用于測量表面劑量
D、指形電離室通常用來校準(zhǔn)中高能X線以及4MeV以上的電子線
E、指形電離室?guī)в袠?biāo)準(zhǔn)厚度的平衡帽，其目的是為了增加靈敏體積內(nèi)的電子數(shù)目
A.DVH能顯示體積和劑量的關(guān)系
B.最佳的治療計(jì)劃應(yīng)使處方劑量包繞PTV
C.計(jì)劃評估主要是觀察劑量分布
D.DVH能夠很好地顯示靶區(qū)和危及器官的空間劑量分布信息
E.主要器官內(nèi)受照射體積與最大劑量間的關(guān)系
A.加速電子能量
B.加速電子強(qiáng)度
C.電子偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)
D.準(zhǔn)直系統(tǒng)設(shè)計(jì)
E.靶和均整器材料
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
E.5%
放射性核素
作為遠(yuǎn)距離治療機(jī)的輻射源，它的直徑通常為（）
A.1mm
B.2mm
C.5~8mm
D.10~20mm
E.30~40mm
A.淺層X射線
B.深部X射線
C.兆伏X射線
D.兆伏電子線
E.鈷-60γ線
A.能量注量和能量沉積核在空間任何一點(diǎn)都相同
B.次級電子的射程范圍內(nèi)，光子能量注量不變
C.能量沉積核只與作用點(diǎn)和沉積點(diǎn)之間相對幾何位置有關(guān)，與空間絕對位置無關(guān)
D.組織或介質(zhì)是無限大且均勻
E.原射線能譜不隨深度變化
最新試題
帶電粒子入射到物體時(shí)，沒有確定的射程。
LET=（）Kev/μm 是高低LET 射線的分界線。
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度，定位精度和擺位精度。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
對射野輸出劑量的檢測頻率，加速器高于鈷60機(jī)。
隨能量增大，光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
對鈷60機(jī)射野的對稱性和平坦度的檢查應(yīng)每月一次。
“4R”描述的是影響腫瘤和正常組織的輻射生物效應(yīng)因素。
人體曲面校正的組織空氣比法或組織最大劑量比方法的修正因子CF的表達(dá)式是（）。