由于單個(gè)硅元件的工作電壓和電流不能做得很高，在制造低電壓或小電流的硅整流電源時(shí)，有時(shí)需要把硅元件串聯(lián)和并聯(lián)使用。

站用交流電壓消失時(shí)，在分段隔離后，可用萬(wàn)用表測(cè)量絕緣電阻，逐步縮小范圍，直至找到故障點(diǎn)。

直流電壓消失后，在操作時(shí)或系統(tǒng)發(fā)生故障時(shí)，不影響控制回路的正常動(dòng)作。

運(yùn)行人員應(yīng)在每天24：00對(duì)設(shè)備進(jìn)行熄燈檢查。

直流回路熔斷器質(zhì)量不合格，接觸不良，可導(dǎo)致直流電壓消失。

檢查操作把手標(biāo)號(hào)應(yīng)齊全，并與實(shí)際相符。

處理二次回路故障時(shí)，應(yīng)防止電流回路短路與電壓回路開路或接地。

變電站內(nèi)的直流系統(tǒng)是非獨(dú)立的操作電源。

采用硅整流裝置作操作電源，缺點(diǎn)是不能獨(dú)立使用，需加裝補(bǔ)償電容、自投裝置、逆止閥等附件。

若儲(chǔ)能電容器采用單相橋式接線，由于提高了充電電壓，電容器的裝設(shè)容量可比三相橋式整流的增加一倍。