A.同相輸入信號電壓高于反相輸入信號
B.同相輸入信號電壓高于反相輸入信號,并引入負(fù)反饋
C.反相輸入信號電壓高于同相輸入信號,并引入負(fù)反饋
D.反相輸入信號電壓高于同相輸入信號,并開環(huán)
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A.閉環(huán)放大倍數(shù)越大
B.開環(huán)放大倍數(shù)越大
C.抑制漂移的能力越強(qiáng)
D.對放大倍數(shù)沒有影響
A.放大差模信號,抑制共模信號
B.放大共模信號,抑制差模信號
C.放大差模信號和共模信號
D.差模信號和共模信號都不放大
A.輸入電阻
B.信號源內(nèi)阻
C.負(fù)載電阻
A.輸入電阻高,輸出電阻低
B.輸入電阻低,輸出電阻高
C.輸入,輸出電阻都很高
D.輸入,輸出電阻都很低
如圖所示的放大電路()。
A.不能穩(wěn)定靜態(tài)工作點
B.能穩(wěn)定靜態(tài)工作點,但比無二極管D的電路效果要差
C.能穩(wěn)定靜態(tài)工作點且效果比無二極管D的電路更好
已知某場效應(yīng)管的漏極特性曲線如圖所示,則在UDS=10V,UGS=0V處的跨導(dǎo)gm約為()。
A.1mA/V
B.0.5mA/V
C.-1mA/V
D.-0.5mA/V
某場效應(yīng)管的漏極特性曲線如圖所示,則該場效應(yīng)管為()。
A.P溝道耗盡型MOS管
B.N溝道增強(qiáng)型MOS管
C.P溝道增強(qiáng)型MOS管
D.N溝道耗盡型MOS管
某電路如下圖所示,晶體管集電極接有電阻RC,根據(jù)圖中的數(shù)據(jù)判斷該管處在()。
A.截止?fàn)顟B(tài)
B.放大狀態(tài)
C.飽和狀態(tài)
A.PNP管的集電極
B.PNP管的發(fā)射極
C.NPN管的發(fā)射極
D.NPN管的基極
電路如圖所示,D1,D2均為理想二極管,設(shè)U1=10V,ui=40sinωtV,則輸出電壓uo應(yīng)為()。
A.最大值為40V,最小值為0V
B.最大值為40V,最小值為+10V
C.最大值為10V,最小值為-40V
D.最大值為10V,最小值為0V
最新試題
直流電源濾波的主要目的是()。
當(dāng)有用信號的頻率介于2500Hz與3000Hz之間時,應(yīng)采用的最佳濾波電路是()。
在多級放大電路中,功率放大級常位于()。
雙極晶體管放大電路共射極接法所對應(yīng)的場效應(yīng)管放大電路是()接法。
電容濾波器的濾波原理是根據(jù)電路狀態(tài)改變時,其()。
集成運放的電壓傳輸特性之中的線性運行部分的斜率愈陡,則表示集成運放的()。
如圖所示的放大電路()。
在整流電路中,設(shè)整流電流平均值為IO,則流過每只二極管的電流平均值ID=IO的電路是()。
零點漂移就是靜態(tài)工作點的漂移。
鏡像電流源電路中兩只晶體管的特性應(yīng)完全相同。