A.<2.0%
B.<2.5%
C.<3.0%
D.<3.5%
E.<5.0%
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A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
E.±5%
A.細(xì)胞數(shù)
B.增殖速度
C.分化程度
D.pH值
E.射線強(qiáng)度
A.工作負(fù)荷
B.使用因子
C.居住因子
D.距離因子
E.本底因子
A.離軸距離
B.模體深度
C.射野形狀和大小
D.均整器設(shè)計(jì)
E.放射源的大小
A.深部X射線、高能電子線、高劑量率鎖-192后裝放射源
B.鈷-60γ射線、高能電子線、高劑量率銥-192后裝放射源
C.深部X射線、低能電子線、低能X射線
D.鈷-60γ射線、低能電子線、高劑量率銥-192后裝放射源
E.鈷-60γ射線、高能電子線、低劑量率銥-192后裝放射源
A.溫度
B.氣壓
C.劑量率
D.入射角度
E.入射光子能譜
A.0.6%
B.1.6%
C.3.2%
D.20%
E.40%
A.所有X射線能量范圍應(yīng)使用相同的濾過板
B.140kV以下用鋁,140kV以上用銅或銅十鋁復(fù)合過濾
C.使用復(fù)合過濾板時(shí)應(yīng)沿射線方向先放原子序數(shù)小的,后板原子序數(shù)大的
D.使用濾過板不會(huì)使射線強(qiáng)度下降
E.經(jīng)過濾過板后的X射線的半價(jià)層比原來低
A.光釋光系統(tǒng)
B.放射光致發(fā)光玻璃劑量學(xué)系統(tǒng)
C.熱釋光劑量計(jì)
D.膠片劑量計(jì)
E.電子個(gè)人劑量計(jì)
A.有絲分裂前期(G2)
B.有絲分裂期(M)
C.DNA合成前期(G1)
D.DNA合成期(S)
E.靜止期(G0)
最新試題
對(duì)加速器射野的對(duì)稱性和平坦度的檢查應(yīng)每月兩次。
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
帶電粒子入射到物體時(shí),沒有確定的射程。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線能量。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度,也代表了細(xì)胞對(duì)亞致死損傷的修復(fù)能力。
“4R”描述的是影響腫瘤和正常組織的輻射生物效應(yīng)因素。
組織最大劑量比TMR 和源皮距的關(guān)系是()。
檢查燈光野與射野的一致性通常用膠片法。