單項(xiàng)選擇題測量出射劑量時(shí)，在患者表面放置足夠厚的反散射材料的目的是（）

A.便于測量
B.消除劑量跌落效應(yīng)的影響
C.保證測量的精確性
D.保證測量的安全性
E.以上均錯(cuò)


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1.單項(xiàng)選擇題靶劑量的定義是（）

A.PTV內(nèi)接受的最大劑量
B.PTV內(nèi)接受的平均劑量
C.靶區(qū)內(nèi)接受的最大劑量
D.靶區(qū)內(nèi)接受的平均劑量
E.腫瘤得到控制或治愈的腫瘤致死劑量

3.單項(xiàng)選擇題關(guān)于不對(duì)稱射野，下列描述錯(cuò)誤的是（）

A.不對(duì)稱射野是指射野中心軸線偏離線束中心軸的射野
B.IEC1217號(hào)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，當(dāng)葉片位于不對(duì)稱射野坐標(biāo)系的正方向時(shí)，葉片位置為正
C.不對(duì)稱射野由獨(dú)立準(zhǔn)直器的四個(gè)葉片形成
D.不對(duì)稱射野用于共面相鄰野銜接時(shí)，會(huì)在相鄰區(qū)出現(xiàn)劑量不均勻現(xiàn)象
E.不對(duì)稱射野可以實(shí)施彎曲形靶區(qū)的等中心旋轉(zhuǎn)切線照射技術(shù)

4.單項(xiàng)選擇題腫瘤組織內(nèi)的克隆源性細(xì)胞數(shù)，通常用腫瘤的（）表示。

A.SF2
B.Tpot
C.T分期
D.N分期
E.M分期

6.單項(xiàng)選擇題關(guān)于巴黎系統(tǒng)的插植基本規(guī)則，描述錯(cuò)誤的是（）

A.所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等
B.放射源是相互平行的直線源
C.插植時(shí)各直線源強(qiáng)度及長度相等
D.各源的中心在同一平面，即中心平面
E.多平面插植放射源排列為長方形或等邊三角形

9.單項(xiàng)選擇題采用等中心方法，拍攝兩張互相垂直的影象片，此種放射源的定位技術(shù)稱為（）

A.正交技術(shù)
B.立體平移技術(shù)
C.立體交角技術(shù)
D.立體斜交技術(shù)
E.旋轉(zhuǎn)技術(shù)