A.0.3r
B.0.4r
C.0.5r
D.0.75r
E.幾何中心
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A.傳能線密度
B.線性碰撞阻止
C.質(zhì)量碰撞阻止
D.線性衰減系數(shù)
E.質(zhì)量衰減系數(shù)
A.入射帶電粒子與核外電子之間的庫侖力相互作用,使軌道電子獲得足夠的能量而引起原子電離
B.軌道電子獲得的能量不足以引起電離時(shí),則會(huì)引起原子激發(fā)
C.處于激發(fā)態(tài)的原子在退激時(shí),會(huì)放出γ射線
D.處于激發(fā)態(tài)的原子在退激時(shí),釋放出特征X射線或俄歇電子
E.被電離出來的軌道電子具有足夠的能量可進(jìn)一步引起物質(zhì)電離,此稱為次級(jí)電離
A.原子核
B.同位素
C.核素
D.元素
E.核電荷素
A.1-10Kev
B.10-30Kev
C.30Kev-25Mev
D.25Mev-100Mev
E.100Mev-125Mev
A.K層
B.L層
C.M層
D.N層
E.P層
A.25
B.28
C.35
D.52
E.82
A.4MV
B.6MV
C.8MV
D.10MV
E.16MV
A.劑量率
B.總劑量
C.劑量因子
D.工作負(fù)荷
E.距離因子
A.0.1mSv
B.0.2mSv
C.0.3mSv
D.0.5mSv
E.0.6mSv
A.銣-87
B.釷-232
C.鉀-40
D.碳-14
E.鈾-238
最新試題
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
組織最大劑量比TMR 和源皮距的關(guān)系是()。
射野中心軸上百分深度劑量值的大小直接反應(yīng)了射線質(zhì)(能量)的高低。
對(duì)鈷60機(jī)射野的對(duì)稱性和平坦度的檢查應(yīng)每月一次。
實(shí)際患者治療時(shí),無環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
檢查燈光野與射野的一致性通常用膠片法。