單項(xiàng)選擇題工藝操作和生產(chǎn)流程中作好內(nèi)照射防護(hù)的措施主要有兩條原則：（1）包容和集中（2）（）。

A、密封和屏蔽
B、稀釋、分散和去污
C、控制工作時(shí)間
D、遠(yuǎn)距離操作


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1.單項(xiàng)選擇題內(nèi)照射中把受到照射的器官叫做（）。

A、接受器官
B、靶器官
C、照射體
D、主要器官

3.單項(xiàng)選擇題輻射防護(hù)強(qiáng)調(diào)實(shí)踐必須是（）。

A、無(wú)害的
B、有用的
C、正當(dāng)?shù)?br /> D、理想的

4.單項(xiàng)選擇題歷史上人們定名的耐受劑量相當(dāng)于現(xiàn)在的（）。

A、10msv/d
B、2msv/d
C、20msv/a
D、50msv/a

5.單項(xiàng)選擇題NaI（Tl）晶體主要用來(lái)測(cè)量（）射線的能譜和強(qiáng)度。

A、γ
B、αγ
C、βX
D、γβ

6.單項(xiàng)選擇題閃爍探測(cè)器主要由閃爍體、（）三部分組成。

A、集光器和光電數(shù)碼管
B、光反射器和電子管
C、光收集部件和光電信增管
D、聚光器和光吸收器

7.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體探測(cè)器具有很高（）是其的一個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)。

A、穩(wěn)定性
B、能量分辯率
C、幅度輸出
D、脈沖電流

8.單項(xiàng)選擇題正比計(jì)數(shù)管應(yīng)該使其工作狀態(tài)保持在輸出脈沖幅度與初始總電離保持（）。

A、恒定關(guān)系
B、正比關(guān)系
C、反比關(guān)系
D、不變關(guān)系

9.單項(xiàng)選擇題氣體電離探測(cè)器包括（）三種。

A.計(jì)數(shù)管、晶體管、電子管
B.電離室、正比計(jì)數(shù)管、數(shù)碼管
C.計(jì)數(shù)管、電離室、數(shù)碼管
D.電離室、正比計(jì)數(shù)管、G-M計(jì)數(shù)管

10.單項(xiàng)選擇題引入組織權(quán)重因素ωT是為了考慮不同組織或器官對(duì)發(fā)生（）效應(yīng)的不同敏感性。

A、確定性
B、隨機(jī)性
C、電解性
D、損傷性