單項(xiàng)選擇題關(guān)于超導(dǎo)磁體的特點(diǎn)，下列說法中錯(cuò)誤的是（）。

A.電流負(fù)荷大，可產(chǎn)生強(qiáng)大的磁場(chǎng)
B.強(qiáng)大磁場(chǎng)消耗大量電能
C.產(chǎn)生的磁場(chǎng)均勻、穩(wěn)定
D.必須為超導(dǎo)線圈提供超導(dǎo)條件
E.必須有相應(yīng)的失超開關(guān)


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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于磁場(chǎng)均勻性，敘述正確的是（）。

A.磁場(chǎng)均勻性與測(cè)量所用的球體大小成正比
B.磁體的成像區(qū)域越大，磁場(chǎng)均勻性越低
C.磁場(chǎng)均勻性的單位為mT
D.磁場(chǎng)均勻性與成像質(zhì)量無關(guān)
E.在測(cè)量所用球體大小相同的情況下，ppm值越高，說明磁場(chǎng)均勻性越好

2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于永磁型磁體，敘述錯(cuò)誤的是（）。

A.運(yùn)行維護(hù)簡(jiǎn)單，消耗低
B.受環(huán)境溫度影響小
C.磁場(chǎng)強(qiáng)度較低
D.磁體龐大、笨重
E.由具有鐵磁性的永磁性材料構(gòu)成，其磁場(chǎng)強(qiáng)度衰減極慢

3.單項(xiàng)選擇題表面線圈的主要作用是（）。

A.擴(kuò)大了成像容積
B.提高圖像信噪比（SNR）
C.縮短成像時(shí)間
D.增加空間分辨率
E.增加對(duì)比度

4.單項(xiàng)選擇題CT機(jī)的管電壓一般在（）。

A.80～100kV
B.80～140kV
C.60～140kV
D.60～150kV
E.40～150kV

5.單項(xiàng)選擇題英文縮寫“CCD”是一種（）。

A.影像板
B.平板探測(cè)器
C.薄膜晶體管
D.發(fā)光二極管
E.電荷耦合器件

6.單項(xiàng)選擇題關(guān)于磁體類型，敘述錯(cuò)誤的是（）。

A.永磁型磁體磁場(chǎng)強(qiáng)度衰減極慢
B.永磁型磁體的磁場(chǎng)均勻性及穩(wěn)定性相對(duì)較差
C.常導(dǎo)型磁體耗電較大，產(chǎn)生較多熱量
D.常導(dǎo)型磁體的磁場(chǎng)均勻性及穩(wěn)定性較高
E.超導(dǎo)型磁體的磁場(chǎng)均勻性及穩(wěn)定性較高

7.單項(xiàng)選擇題反轉(zhuǎn)恢復(fù)序列的主要目的是（）。

A.減少組織的T2對(duì)比度
B.減少組織的T1對(duì)比度
C.增加組織的T2對(duì)比度
D.增加組織的T1對(duì)比度
E.增加組織的質(zhì)子密度對(duì)比度

8.單項(xiàng)選擇題FLAIR脈沖序列是（）。

A.快速自旋加波序列
B.穩(wěn)態(tài)梯度回波序列
C.擾相梯度回波序列
D.反轉(zhuǎn)恢復(fù)脈沖序列
E.梯度回波序列

9.單項(xiàng)選擇題K空間中，不同區(qū)域的數(shù)據(jù)與圖像質(zhì)量的關(guān)系是（）。

A.K空間的中心部分決定圖像的對(duì)比，邊緣部分決定圖像的細(xì)節(jié)
B.K空間的中心部分決定圖像的細(xì)節(jié)，邊緣部分決定圖像的對(duì)比
C.K空間的中心與邊緣部分均決定圖像的對(duì)比
D.K空間的中心與邊緣部分均決定圖像的細(xì)節(jié)
E.只有K空間的中心部分對(duì)圖像的質(zhì)量起作用

10.單項(xiàng)選擇題醫(yī)用高壓注射器注射筒的一般規(guī)格有（）。

A.5ml
B.10ml
C.200ml
D.1000ml
E.2000ml