單項選擇題與磁共振波譜無關的內(nèi)容是（）

A.磁旋比
B.B0
C.檢測元素自身周圍的磁場
D.對任何質(zhì)子都可進行波譜分析
E.將MR信號轉(zhuǎn)變?yōu)槎勺V


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1.單項選擇題關于心電門控的論述，哪個是錯誤的（）

A.為減少電極對MR信號干擾，應將電極平行于人體
B.選擇最佳電極位置
C.導線卷曲成環(huán)可使RF增強
D.使R波幅度增加
E.調(diào)整電極位置能使觸發(fā)成功

2.單項選擇題有關矩陣錯誤的描述是（）

A.矩陣有兩種
B.一種為采集矩陣，一種為傅立葉變換矩陣
C.采集矩陣為64×64，512×512
D.增加矩陣可改善空間分辨率
E.減少矩陣降低信噪比

3.單項選擇題運動偽影不包括的內(nèi)容為（）

A.在相位編碼方向產(chǎn)生
B.與運動方向有關
C.與運動方式無關
D.與運動頻率有關
E.與TR和激勵次數(shù)有關

4.單項選擇題化學位移偽影的解釋，哪個是錯誤的（）

A.脂肪和水的氫質(zhì)子共振頻率相同
B.在頻率編碼時出現(xiàn)移位
C.在相位編碼時出現(xiàn)移位
D.高場強容易出現(xiàn)化學位移偽影
E.任何MR系統(tǒng)都會出現(xiàn)化學位移偽影

5.單項選擇題與交叉對稱信號偽影無關的因素為（）

A.屬裝備偽影
B.在SE中T2出現(xiàn)
C.由于B0不均勻
D.T對B0不均勻敏感
E.受RF頻率影響

6.單項選擇題信噪比的錯誤概念是（）

A.適當延長TR后使信號增強
B.TE愈長，T2信號愈弱，SNR越低
C.TI增加，SNR也增大
D.表面線圈比體線圈SNR高
E.場強越高信噪比越低

7.單項選擇題與信噪比無關的因素是（）

A.與FOV平方成正比
B.層厚越厚，信噪比越高
C.層間距越小，信噪比越低
D.SNR的提高與平均次數(shù)的平方根成正比
E.患者移動使圖像的信噪比下降

8.單項選擇題磁場屏蔽使用的材料是（）

A.鉛
B.鋁
C.鈦
D.不銹鋼
E.鐵

9.單項選擇題梯度磁場工作狀態(tài)錯誤的內(nèi)容是（）

A.呈開關狀態(tài)工作
B.在脈沖序列中可有不同幅度
C.梯度改變的幅度與速率必須精確
D.在心臟MRI時由門控確定其速率
E.在計算機控制下供應電流

10.單項選擇題

T2的定義（）

A.梯度回波產(chǎn)生的，不受B0不均勻影響
B.自旋脈沖序列產(chǎn)生的，受B0不均勻影響
C.反轉(zhuǎn)恢復脈沖序列產(chǎn)生的
D.T2與T1無區(qū)別
E.以上都不是