A.RF脈沖頻譜較寬
B.容積成像
C.RF激勵(lì)全容積
D.適合高場(chǎng)強(qiáng)MR
E.采集時(shí)間長(zhǎng)
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A.最多10次
B.最多8次
C.最多6次
D.最多4次
E.最多1次
A.梯度磁場(chǎng)
B.Larmor方程
C.頻率編碼
D.相位編碼
E.傅立葉變換
A.37%
B.43%
C.53%
D.63%
E.73%
A.振動(dòng)波型
B.磁旋比
C.進(jìn)動(dòng)頻率
D.RF頻率
E.B0強(qiáng)度
A.28~30℃
B.29~33℃
C.30~32℃
D.32~34℃
E.36~38℃
A.單面乳膠膜
B.背面有防反射層
C.乳膠膜對(duì)不同激光波長(zhǎng)敏感
D.使用暗綠色安全燈
E.使用特殊顯影液
A.單面乳膠膜
B.雙面乳膠膜
C.背面有防光暈層
D.藥膜對(duì)黑白熒光屏敏感
E.安全光為橘紅色
A.可選用矩形表面線圈
B.可選用環(huán)形表面線圈
C.橫軸定位燈對(duì)準(zhǔn)上臂中點(diǎn)
D.常規(guī)選取矢、冠、橫斷面
E.脈沖序列選用STIR為最佳
A.脈沖序列:SE、TSE、STIR、FLASH等
B.采集模式:2D,3D
C.采集矩陣:256×(80~256)
D.重建矩陣:256×256,512×512
E.FOV:350mm(雙側(cè)),250mm(單側(cè))
A.使用包繞式表面線圈或體線圈
B.單側(cè)可使用17~18cm環(huán)形表面線圈
C.橫軸定位燈對(duì)準(zhǔn)髂前上棘
D.取橫斷面及冠狀面
E.層厚:5~8mm
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