用一根硬導(dǎo)線(xiàn)彎成半徑為R的半圓形，將其置于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的均勻磁場(chǎng)中，以頻率f旋轉(zhuǎn)，如圖所示，這個(gè)導(dǎo)體回路中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)ε等于（）。
A.A
B.B
C.C
D.D
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如果把一個(gè)小功率二極管直接同一個(gè)電源電壓為1.5V、內(nèi)阻為零的電池實(shí)行正向連接，電路如圖所示，則后果是該管（）。
A.擊穿
B.電流為零
C.電流正常
D.電流過(guò)大使管子燒壞
由兩個(gè)D觸發(fā)器組成的電路如圖所示。設(shè)Q1Q2的初始態(tài)是00，已知cp的脈沖波形，Q2的波形是（）。
A.圖A
B.圖B
C.圖C
D.圖D
晶體管單管放大電路如圖所示，其中電阻RB可調(diào)，當(dāng)輸入ui、輸出uo的波形如圖所示時(shí)，輸出波形（）。
A.出現(xiàn)了飽和失真，應(yīng)調(diào)大RB
B.出現(xiàn)了飽和失真，應(yīng)調(diào)小RB
C.出現(xiàn)了截止失真，應(yīng)調(diào)大RB
D.出現(xiàn)了截止失真，應(yīng)調(diào)小RB
已知一個(gè)RS觸發(fā)器，R、S、C端的信號(hào)如圖所示，輸出端Q的波形中正確的是（）。（設(shè)觸發(fā)器初始狀態(tài)為“0”）
A.圖A
B.圖B
C.圖C
D.圖D
圖示的晶體管均為硅管，測(cè)量的靜態(tài)電位如圖所示，處于放大狀態(tài)的晶體管是（）。
A.A
B.B
C.C
D.D
如圖所示電路中，A點(diǎn)和B點(diǎn)的電位分別是（）V。
A.2；－1
B.－2；1
C.2；1
D.1；2
A.飽和狀態(tài)的PNP型硅管
B.放大狀態(tài)的NPN型硅管
C.飽和狀態(tài)的NPN型鍺管
D.放大狀態(tài)的PNP型鍺管
單相全波整流電路如圖所示，已知RL＝80Ω，U0＝110V，忽略整流二極管的正向壓降，每個(gè)二極管所承受的最高反向電壓UDRM為（）V。
A.122
B.155
C.173
D.190
運(yùn)算電路如圖所示，要使u0＝5ui，RF應(yīng)?。ǎ﹌Ω。
A.8
B.12
C.15
D.18
A.發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于正偏置
B.發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于反偏置
C.發(fā)射結(jié)處于反偏置，集電結(jié)處于正偏置
D.發(fā)射結(jié)處于正偏置，集電結(jié)處于反偏置
最新試題
如圖所示電路中，A點(diǎn)和B點(diǎn)的電位分別是（）V。
如圖所示的二極管D1、D2所處的狀態(tài)是（）。
晶體管非門(mén)電路如圖所示，已知Ucc＝15V，UB＝－9V，Rc＝3kΩ，RB＝20kΩ，β＝40，當(dāng)輸入電壓U1＝5V時(shí)，要使晶體管飽和導(dǎo)通，Rx的值不得大于（）kΩ。（設(shè)UBE＝0.7V，集電極和發(fā)射極之間的飽和電壓Uces＝0.3V）
接有電容濾波器的橋式整流電路如圖所示，已知u（t）＝35.4sin314tV，輸出電壓U＝（）V。
如圖所示電路中，已知RF＝2R1，Ui＝－2V，則輸出電壓UO＝（）V。
如圖所示為共發(fā)射極單管電壓放大電路，估算靜態(tài)點(diǎn)的IB、IC、UCE分別為（）。
如圖所示電路中，已知穩(wěn)壓管Dz1、Dz2的穩(wěn)定電壓分別為7V和7.5V，正向?qū)▔航稻鶠?.7V，輸出電壓U等于（）V。
電路如圖所示，A、B端輸入信號(hào)均為方波，DA、DB是理想二極管，當(dāng)K點(diǎn)電位等于3V時(shí)，三極管飽和導(dǎo)通，此電路是一個(gè)（）。
電路如圖所示，D為理想二極管，ui＝6sinωt（V），則輸出電壓的最大值UoM＝（）V。
如圖所示電路可進(jìn)行減法運(yùn)算，已知輸出電壓u0＝12V，則兩輸入信號(hào)電壓ui1與ui2之間的關(guān)系是（）。