A.權(quán)電阻網(wǎng)絡(luò)
B.T型電阻網(wǎng)絡(luò)
C.電子開關(guān)
D.電阻網(wǎng)絡(luò)
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A.包含D/A轉(zhuǎn)換器
B.包含電壓比較器
C.不包含D/A轉(zhuǎn)換器
D.不包含參考電源
A.電壓比較器
B.A/D轉(zhuǎn)換器
C.控制邏輯電路
D.逐次逼近寄存器
A.4
B.10
C.1024
D.210
A.轉(zhuǎn)換精度
B.轉(zhuǎn)換速度
C.分辨率
D.轉(zhuǎn)換誤差
A.轉(zhuǎn)換時(shí)間
B.分辨率
C.轉(zhuǎn)換幅值
D.轉(zhuǎn)換誤差
A.并聯(lián)比較型
B.直接比較型
C.逐次逼近型
D.雙積分型
A.取樣-保持
B.量化-編碼
C.求和電路
D.數(shù)碼鎖存器
A.數(shù)碼鎖存器
B.電子開關(guān)
C.電阻網(wǎng)絡(luò)
D.求和電路
A.溫度
B.壓力
C.流量
D.速度
A.施密特觸發(fā)器
B.多諧振蕩器
C.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
D.石英晶體振蕩器
最新試題
判斷如下VHDL的操作是否正確,如不正確,請改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT,c是INTEGER,執(zhí)行c<=a+b。
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,要求輸入每變化20mV,輸出信號的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
一個(gè)兩輸入端的門電路,當(dāng)輸入為10時(shí),輸出不是1的門電路為()
小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
用1M×4的DRAM芯片通過()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲器。
10-4線優(yōu)先編碼器允許同時(shí)輸入()路編碼信號。
以下代碼中為無權(quán)碼的為()。
一個(gè)16選一的數(shù)據(jù)選擇器,其地址輸入(選擇控制輸入)端有()個(gè)。
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少?
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài),如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)?