A.具有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)。
B.觸發(fā)方式為電平觸發(fā)，適用與變化緩慢的信號(hào)。
C.具有一個(gè)穩(wěn)態(tài)和一個(gè)暫穩(wěn)態(tài)。
D.對(duì)正向和負(fù)向增長(zhǎng)的輸入信號(hào)，電路有不同的閥值電平。
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A.功能相同，外形和管腳排列一致。
B.都使用單電源供電。
C.輸出為2/3VCC電平。
D.電源電壓變化對(duì)振蕩頻率和定時(shí)精度影響下
A.高電平
B.低電平
C.高低電平都有可能
D.無(wú)法確定
A.555在電路結(jié)構(gòu)上是由模擬電路和數(shù)字電路組合而成的。
B.555時(shí)基電路采用雙電源供電。
C.555可獨(dú)立構(gòu)成一個(gè)定時(shí)電路，且定時(shí)精度高。
D.555的最大輸出電流達(dá)200mA，帶負(fù)載能力強(qiáng)。
A.產(chǎn)生矩形波
B.產(chǎn)生延遲作用
C.實(shí)現(xiàn)定時(shí)功能
D.把緩慢信號(hào)變成矩形波
A.電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜
B.振蕩頻率低
C.頻率穩(wěn)定度低
D.抗干擾性強(qiáng)
A.正弦波
B.矩形波
C.鋸齒波
D.尖脈沖
A.多諧振蕩器
B.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.施密特觸發(fā)器
D.石英晶體多諧振蕩
A.多諧振蕩器
B.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.施密特觸發(fā)器
D.JK觸發(fā)器
A.正弦波
B.矩形脈沖
C.三角波
D.鋸齒波
A.多諧振蕩器
B.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.施密特觸發(fā)器
D.555定時(shí)器
最新試題
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器，當(dāng)Q=1、Q=0時(shí)，兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)（）。
一個(gè)兩輸入端的門電路，當(dāng)輸入為10時(shí)，輸出不是1的門電路為（）
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案，比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來(lái)實(shí)現(xiàn)，設(shè)計(jì)方案是最佳嗎？簡(jiǎn)述理由。
利用2個(gè)74LS138和1個(gè)非門，可以擴(kuò)展得到1個(gè)（）線譯碼器。
ROM可以用來(lái)存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù)，但它不可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)（）。
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài)，如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)？
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，要求輸入每變化20mV，輸出信號(hào)的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
電可擦除的PROM器件是（）