A.TTL
B.ECL
C.HTL
D.I2L
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A.高電平
B.低電平
C.高阻
D.失效
A.TTL集成門電路的電源電壓比CMOS集成門電路的電源電壓范圍寬。
B.TTL集成門電路的功耗比CMOS集成門電路的功耗低。
C.TTL與非門的輸入端可以懸空,CMOS與非門的輸入端不可以懸空。
D.TTL與非門和CMOS與非門的輸入端都可以懸空。
A.電壓傳輸特性
B.輸入特性
C.輸出特性
D.動態(tài)特性
A.結(jié)構(gòu)簡單、成本低
B.輸出的高低電平數(shù)值和輸入高、低電平數(shù)值不相等
C.帶負(fù)載能力差
D.帶負(fù)載能力強(qiáng)
A.邏輯符號
B.功能表
C.真值表
D.狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖
A.TTL集成電路
B.PMOS集成電路
C.NMOS集成電路
D.CMOS集成電路
A.晶體二極管
B.晶體三極管
C.MOS晶體管
D.電阻
A.雙極性集成電路
B.TTL集成電路
C.CMOS集成電路
D.單極性集成電路
A.電阻
B.電容
C.二極管
D.三極管
A.輸入低電平時,三極管工作在截止區(qū),輸出為高電平。
B.輸入高電平時,三極管工作在飽和區(qū),輸出為低電平。
C.輸入低電平時,三極管工作在截止區(qū),輸出為低電平。
D.輸入高電平時,三極管工作在飽和區(qū),輸出為高電平。
最新試題
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài),所以它不能被稱為()觸發(fā)器。
試提出數(shù)字頻率計的三種設(shè)計方案,比較各種方案的特點。如果用HDPLD來實現(xiàn),設(shè)計方案是最佳嗎?簡述理由。
如要將一個最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,要求輸入每變化20mV,輸出信號的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài),如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)?
雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路?請說明理由。
小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是()
根據(jù)什么判斷簡單電路中的險象存在?
判斷如下VHDL的操作是否正確,如不正確,請改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT,c是INTEGER,執(zhí)行c<=a+b。
兩個與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時,兩個輸入信號R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會()。